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本发明公开了一种制造半导体芯片的方法，依次包括如下步骤：（1）用光刻和ICP刻蚀技术将已经生长好发光二极管结构外延片刻蚀出AlInN层侧壁；（2）将外延层结构粘合到玻璃衬底上，用二乙醇胺（DAE）腐蚀掉AllnN层，形成外延层和蓝宝石衬底的...
该专利属于溧阳市东大技术转移中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过溧阳市东大技术转移中心有限公司授权不得商用。

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