一种台阶型发光二极管的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种台阶型发光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：（1）在衬底上依次形成第一底透明导电层、底粗化层、第二底透明导电层；（2）在第二底透明导电层的第二区域上依次形成p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层；（3）在n型半导体层上依次形成第一顶透明导电层、顶粗化层、第二顶透明导电层；（4）在第二底透明导电层的第一区域上以及第二顶透明导电层上形成底电极和顶电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造
，特别涉及。
技术介绍
半导体发光二极管(Light Emitting Diode)应用日益广泛，特别是在照明方面有取代白炽灯和荧光灯的趋势。发光二极管是由半导体材料所制成的发光元件，元件具有两个电极端子，在端子间施加电压，通入极小的电流，经由电子电洞的结合可将剩余能量以光的形式激发释出，此即发光二极管的基本发光原理。发光二极管不同于一般白炽灯泡，发光二极管是属冷发光，具有耗电量低、元件寿命长、无须暖灯时间及反应速度快等优点，再加上其体积小、耐震动、适合量产，容易配合应用上的需求制成极小或阵列式的元件，目前发光二极管已普遍使用于资讯、通讯及消费性电子产品的指示器与显示装置上，成为日常生活中不可或缺的重要元件。目前发光二极管还面临一些技术上的问题，特别是光取出效率比较低。这导致了发光二极管的亮度不足等缺陷。针对上述问题，业内已经提出了通过粗化方法来改善发光二极管出光效率的问题，但是现有技术中粗化方法仍然存在缺陷，例如仅对发光二极管进行水平面式粗化，这种粗化方式无法进一步提高粗化面积，因此出光效率无法进一步提高。【专利技术内容】本专利技术针对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种台阶型发光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：（1）在衬底上依次形成第一底透明导电层、底粗化层、第二底透明导电层；（2）在第二底透明导电层的第二区域上依次形成p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层；（3）在n型半导体层上依次形成第一顶透明导电层、顶粗化层、第二顶透明导电层；（4）在第二底透明导电层的第一区域上以及第二顶透明导电层上形成底电极和顶电极。

【技术特征摘要】
1.一种台阶型发光二极管的制造方法，依次包括如下步骤: (1)在衬底上依次形成第一底透明导电层、底粗化层、第二底透明导电层； (2)在第二底透明导电层的第二区域上依次形成P型半导体层、半导体发光层和η型半导体层； (3)在η型半导体层上依次形成第一顶透明导电层、顶粗化层、第二顶透明导电层； (4)在第二底透明导电层的第一区域上以及第二顶透明导电层上形成底电极和顶电极。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于: 其中，步骤(I)的工艺具体为:先在衬底上淀积透明导电材料，然后经过光刻、刻蚀工艺，从而在透明导电材料上形成凹槽，以此形成第一底透明导电层，此后采用化学腐蚀工艺对第一底透明导电层的表面进行腐蚀，从而在第一底透明导电层表面形成一定厚度的底粗化层，接着在底粗化层上淀积透明导电材料，经过平坦化后形成第二底透明导电层； 其中，步骤(3)的工艺为:在η型半导体层上淀积平坦的透明导电材料，然后经光刻、刻蚀后形成具有凸起的第一顶透明导电层，此后对第一顶透明导电层的表面进行化学腐蚀，从而在第一顶透明导电层的表面形成一定厚度的顶粗化层，接着...

【专利技术属性】
技术研发人员：丛国芳，
申请(专利权)人：溧阳市东大技术转移中心有限公司，
类型：发明
国别省市：