电接触构件制造技术

提供一种电接触构件，其能够实现与被测体的低附着性，并且能够长期保持稳定的导电性，特别是在大约85℃左右的高温下的反复接触和大气中长期放置后，也能够实现与被测体的低附着性，并且能够抑制接触电阻的上升，能够长期保持稳定的电接触。本发明专利技术涉及与被测体反复接触的电接触构件，其中，与被测体接触的电接触构件的表面，由含有Pd的碳被膜构成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电接触构件
本专利技术涉及用于检查半导体元件的电特性，以前端部与电极等被测体反复接触的接触式探针等的电接触构件，特别是涉及即使经过高温下的重复检查和大气中的长期放置，导电性也不会劣化的这种耐久性优异的电接触构件，和具备该电接触构件的检查用插座、探针卡、检查单元等的检查用连接装置。
技术介绍
集成电路(1C)、大规模集成电路(LSI)、发光二极管(LED)等的电子零件(S卩，使用了半导体元件的电子零件)，使检查用连接装置所使用电接触构件(接触端子)与半导体元件的电极接触，检查其电特性。上述电接触构件，当然要求导电性良好(接触电阻值低)，而且还要求具备优异的耐久性，其程度为，即使与作为被测体的电极反复接触也不会发生磨耗和损伤。上述电接触构件的接触电阻值，一般设定在ΙΟΟι?Ω以下，但由于进行与被测体的反复检查，导致从数IOOmΩ恶化至数Ω。因此，一直以来，会定期进行电接触构件的清洁和更换，但这使检查工序的可靠性和检查用连接装置的运转率显著降低，由此，经过长期的反复使用，接触电阻值也不会降低的电接触构件的开发推进。特别是电接触构件，在作为被测体的电极上形成有焊料和锡(Sn)镀覆等时，因为焊料和锡软，所以其具备的特性是，通过与电接触构件的接触而从电极表面被削去，其碎屑等容易附着在电接触构件的前端部，并且附着的焊料和锡氧化，导致难以将接触电阻值保持在稳定的水平。作为使电接触构件的接触电阻值稳定化的方法，例如可列举专利文献I?3。其中在专利文献I中，公开有一种硬质皮膜，其是以碳或碳和氢为主成分的非晶质的硬质皮膜，其中，作为碳、氢以外的杂质元素，通过在0.001?40原子％的范围内，添加从V、Cr、Zr、Nb、Hf、Ta、Au、Pt、Ag的群中选择的至少一种元素，从而使其具备优异的耐磨耗性和高导电性，膜应力小而具备良好的滑动特性，记述该硬质皮膜正好能够适用于要求电接触的滑动部。另外，在专利文献2中公开有一种探针，其是由钨或铼钨构成的探针，其中，在前端侧的接触部的至少前端部，形成有在I?50质量％的范围内，含有钨、钥、金、银、镍、钴、铬、钯、铑、铁、铟、锡、铅、铝、钽、钛、铜、锰、白金、铋、锌、镉之中的至少一种金属的DLC膜。记述根据上述构成的探针，即使与铝电极反复接触，也难以附着铝屑，即使不频繁地进行清洁作业，也能够使接触电阻稳定化在低水平。另外，在专利文献3中公开有一种电特性测量用端子(探针)，其进行离子注入而成的端子材料的至少表面，由铍一铜合金、铜、银、金、镍、钯、白金、铑、铼、铬、钥、钨的任意一种，或以其等为主成分的材料构成。在上述专利文献3中记述，为了使异物向最表面附着的效果发挥，将距该端子的最表面深50nm以下的浅层区域的平均碳浓度控制在大约I?80at%，由此，即使与元件侧电极(焊料等)反复接触，异物也难以附着，能够减少清洁频率。先行技术文献专利文献专利文献1:日本专利第3336682号公报专利文献2:日本特开2001 - 289874号公报专利文献3:日本特开2003 - 149267号公报根据上述方法，可期待提供能够耐受室温下的反复检查的电接触构件，但电接触构件的使用环境多样，存在比室温更严酷的高温下使用的情况。例如，若将电接触构件用于约85°C左右的高温下的反复检查，则被高温加热的Sn等的电极构件与电接触构件接触，因此Sn向电接触构件的附着率大幅提高，造成电接触构件的导电性也显著提高等严重的问题。但是，前述专利文献I?3的技术，并没有从这样的观点出发进行研究，如这些专利文献所公开的，将跨越大范围而含有大范围的添加元素的探针，在高温下与Sn电极等反复接触，则从电极上削去的Sn大量附着在电接触构件的表面，由于附着的Sn的氧化导致导电性降低，接触电阻有可能上升，从而不能长期确保稳定的电接触。另外，电接触构件的一部分，开封后并不是立即使用，而是以开封的状态下在室内等大气中旋转数周左右。这种情况下，金属元素的氧化进行，使电接触构件的导电性降低。另外，安装在检查装置上的电接触构件，由于金属元素在升温/降温过程和被测体的更换期间被氧化，接触电阻也上升。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述情况而形成，其目的在于，提供一种电接触构件和具有它的检查用连接装置，该电接触构件能够实现与被测体(例如，焊料、Sn、Al、Pd等)的低附着性，并且能够长期保持稳定的导电性(在本专利技术中以接触电阻值评价)，特别是即使在大约85°C左右的高温下的反复接触和大气中长期放置后，也能够实现与被测体的低附着性，并且能够抑制接触电阻的上升，能够长期保持稳定的电接触。本专利技术提供以下的电接触构件及检查用连接装置。(I) 一种与被测体反复接触的电接触构件，其特征在于，与所述被测体接触的所述电接触构件的表面，由含有Pd的碳被膜构成。(2)根据(I)所述的电接触构件，其中，所述碳被膜中所含的Pd的含量为10?50原子％。(3)根据(2)所述的电接触构件，其中，所述碳被膜中所含的Pd的含量为10?23原子％。(4)根据(I)所述的电接触构件，其中，所述碳被膜的膜厚为5nm?ΙΟμπι。(5)根据(2)所述的电接触构件，其中，所述碳被膜的膜厚为5nm?10 μ m。(6)根据(3)所述的电接触构件，其中，所述碳被膜的膜厚为5nm?ΙΟμπι。(7)根据(I)所述的电接触构件，其中，所述碳被膜的膜厚为5nm?ΙΟμπι时，所述碳被膜中所含的Pd的含量为10?23原子％，所述碳被膜的膜厚为5?200nm时，所述碳被膜中所含的Pd的含量为10?50原子％。(8)根据(I)?(7)任一项所述的电接触构件，其中，所检查的被测体含有Sn。(9)一种检查用连接装置，其中，具有多个(I)?(7)中任一项所述的电接触构件。(10)—种检查用连接装置，其中，具有多个(8)所述的电接触构件。本专利技术的电接触构件，与被测体接触的电接触构件的表面，是含有Pd的碳被膜，优选碳被膜中的Pd量得到适当地控制，因此，特别是即使在大约85°C左右的高温的反复接触，和大气中长期放置后，也能够实现与被测体的低附着性，并且能够抑制接触电阻的上升，能够长期保持稳定电接触。【附图说明】图1是表示本专利技术中优选使用的电接触构件与被测体接触的前端部分的构成的剖面模式图。【具体实施方式】本【专利技术者】们，从提供现有的电接触构件关联技术中未得到充分研究的、即使在高温试验环境下，和大气中的长期放置这样严酷的状况下也可以使用的电接触构件的观点出发，而进行了研究。其结果发现，如果使用电接触构件之中与被测体接触的前端部的碳被膜含有Pd这样构成的电接触构件，则能够达成预期的目的，从而完成了本专利技术。如前述的专利文献所公开的，至今为止，已知构成电接触构件的碳被膜中，配置以Pd为首的很多金属，但尚不清楚Pd尤其是其中可耐受在上述严苛的状况下使用的金属，这是本【专利技术者】们初次得出的结论。在本说明书中，所谓“即使在高温下的反复检查后，接触电阻的上升也可得到抑制”，如后述的实施例所述，意思是在85°C使之与Sn电极接触10万次后的接触电阻值的平均低于300m Ω。另外，在本说明书中，所谓“即使在室温下长期放置后，接触电阻的上升也得到抑制”，如后述的实施例所述，意思是在制作电接触构件后，在室内(温度:23°C，湿度:50%的大气本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电接触构件，其特征在于，是与被测体反复接触的电接触构件，其中，与所述被测体接触的所述电接触构件的表面由含有Pd的碳被膜构成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.15 JP 2011-1334831.一种电接触构件，其特征在于，是与被测体反复接触的电接触构件，其中， 与所述被测体接触的所述电接触构件的表面由含有Pd的碳被膜构成。2.根据权利要求1所述的电接触构件，其中，所述碳被膜中所含的Pd的含量为10?50原子％。3.根据权利要求2所述的电接触构件，其中，所述碳被膜中所含的Pd的含量为10?23原子％。4.根据权利要求1所述的电接触构件，其中，所述碳被膜的膜厚为5nm?ΙΟμπι。5.根据权利要求2所述的电接触构件，其中，所述碳被膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：慈幸范洋，平野贵之，
申请(专利权)人：株式会社神户制钢所，
类型：
国别省市：