电接触构件制造技术

提供一种电接触构件，其能够实现与被测体的低附着性，并且能够长期保持稳定的导电性，特别是在大约85℃左右的高温下的反复接触和大气中长期放置后，也能够实现与被测体的低附着性，并且能够抑制接触电阻的上升，能够长期保持稳定的电接触。本发明专利技术涉及与被测体反复接触的电接触构件，其中，与被测体接触的电接触构件的表面，由含有Pd的碳被膜构成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电接触构件
本专利技术涉及用于检查半导体元件的电特性，以前端部与电极等被测体反复接触的接触式探针等的电接触构件，特别是涉及即使经过高温下的重复检查和大气中的长期放置，导电性也不会劣化的这种耐久性优异的电接触构件，和具备该电接触构件的检查用插座、探针卡、检查单元等的检查用连接装置。
技术介绍
集成电路(1C)、大规模集成电路(LSI)、发光二极管(LED)等的电子零件(S卩，使用了半导体元件的电子零件)，使检查用连接装置所使用电接触构件(接触端子)与半导体元件的电极接触，检查其电特性。上述电接触构件，当然要求导电性良好(接触电阻值低)，而且还要求具备优异的耐久性，其程度为，即使与作为被测体的电极反复接触也不会发生磨耗和损伤。上述电接触构件的接触电阻值，一般设定在ΙΟΟι?Ω以下，但由于进行与被测体的反复检查，导致从数IOOmΩ恶化至数Ω。因此，一直以来，会定期进行电接触构件的清洁和更换，但这使检查工序的可靠性和检查用连接装置的运转率显著降低，由此，经过长期的反复使用，接触电阻值也不会降低的电接触构件的开发推进。特别是电接触构件，在作为被测体的电极上形成有焊料和锡(Sn)镀覆等时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电接触构件，其特征在于，是与被测体反复接触的电接触构件，其中，与所述被测体接触的所述电接触构件的表面由含有Pd的碳被膜构成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.15 JP 2011-1334831.一种电接触构件，其特征在于，是与被测体反复接触的电接触构件，其中， 与所述被测体接触的所述电接触构件的表面由含有Pd的碳被膜构成。2.根据权利要求1所述的电接触构件，其中，所述碳被膜中所含的Pd的含量为10?50原子％。3.根据权利要求2所述的电接触构件，其中，所述碳被膜中所含的Pd的含量为10?23原子％。4.根据权利要求1所述的电接触构件，其中，所述碳被膜的膜厚为5nm?ΙΟμπι。5.根据权利要求2所述的电接触构件，其中，所述碳被膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：慈幸范洋，平野贵之，
申请(专利权)人：株式会社神户制钢所，
类型：
国别省市：