【技术实现步骤摘要】
背接触太阳能电池片及其制备方法和背接触太阳能电池
本专利技术涉及太阳能电池领域,具体地,涉及一种背接触太阳能电池片及其制备方法和背接触太阳能电池。
技术介绍
现有晶体硅太阳能电池的正反面各有2到3根银主栅线作为电池的正负极,这些主栅线不仅消耗大量的银浆,同时因为遮挡入射光造成了电池效率的下降。另外,电池的正负极分别分布在电池的上下表面,电池串联时,需要用焊带将电池片正面的电极与相邻电池片背面电极相焊联,焊接工艺繁琐,焊接材料使用较多,焊接时和后续层压工艺中容易造成电池片破损。针对太阳能电池正面遮光损失,研究人员制作了EWT(发射极环绕背接触电池)、MWT(金属环绕背接触电池)、IBC(全背接触电池)等背接触电池。这些背接触电池正面完全没有栅线(EWT电池、IBC电池)或没有主栅线(MWT电池),减少了正面遮光面积,提高了太阳能电池功率。但是,EWT(发射极环绕背接触电池)、MWT(金属环绕背接触电池)、IBC(全背接触电池)等背接触电池的制作工艺相当复杂,如MWT电池和EWT电池需要在硅片上进行激光打孔,并将电极或者发射区穿过孔制作到电池背面,难度大,成本高。而I ...
【技术保护点】
一种背接触太阳能电池片,其特征在于,包括硅片、位于硅片受光面的受光栅线(1)、位于硅片侧面的侧面连接件(10)、位于硅片背光面的正电极(6)和负电极(8);所述负电极(8)与硅片的背光面绝缘,所述负电极(8)与所述受光栅线(1)通过侧面连接件(10)电连接;所述正电极(6)与硅片背光面间还设置有背电场(5),所述正电极(6)与背电场(5)电接触。
【技术特征摘要】
1.一种背接触太阳能电池片,其特征在于,包括硅片、位于硅片受光面的受光栅线(1)、位于硅片侧面的侧面连接件(10)、位于硅片背光面的正电极(6)和负电极(8);所述负电极(8)与硅片的背光面绝缘,所述负电极(8)与所述受光栅线(1)通过侧面连接件(10)电连接;所述正电极(6)与硅片背光面间还设置有背电场(5),所述正电极(6)与背电场(5)电接触。2.一种背接触太阳能电池片,其特征在于,包括硅片、位于硅片受光面的受光栅线(1)、位于硅片侧面的侧面连接件(10)、位于硅片背光面的背电场(5)及位于背电场(5)表面的正电极(6)和负电极(8);所述负电极(8)与背电场(5)绝缘,所述负电极(8)与所述受光栅线(1)通过侧面连接件(10)电连接;所述正电极(6)与背电场(5)电接触。3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池片,其特征在于,所述正电极(6)和负电极(8)分别设置在所述硅片背光面的两端。4.根据权利要求1或2所述的太阳能电池片,其特征在于,所述负电极(8)包括多个,多个所述负电极(8)间隔设置,多个所述负电极(8)之间通过导电栅线导通;所述正电极(6)包括多个,多个所述正电极(6)间隔设置。5.根据权利要求1或2所述的太阳能电池片,其特征在于,所述侧面连接件(10)为导电栅线、导电层或导电片。6.根据权利要求3所述的太阳能电池片,其特征在于,所述正电极(6)为一个,所述负电极(8)为一个,所述正电极(6)和负电极(8)为条形且相互平行。7.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述负电极(8)与硅片背光面通过设置在负电极(8)与硅片背光面间的背面绝缘件(7)绝缘。8.根据权利要求7所述的太阳能电池片,其特征在于,所述背面绝缘件(7)与背电场(5)相接以共同覆盖硅片背光面。9.根据权利要求1或2所述的太阳能电池片,其特征在于,所述硅片的边缘设有第一绝缘件(9),所述侧面连接件(10)通过第一绝缘件(9)与所述硅片的侧面及硅片的背光面绝缘。10.根据权利要求1或2所述的太阳能电池片,其特征在于,第一绝缘件(9)包覆在硅片的边缘,所述侧面连接件(10)位于第一绝缘件(9)的表面,所述侧面连接件(10)通过第一绝缘件(9)与所述硅片的侧面及硅片的背光面绝缘。11.根据权利要求9所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第一绝缘件(9)的材料为石蜡和/或聚脂薄膜。12.根据权利要求1或2所述的太阳能电池片,其特征在于,所述硅片的大小为20-60厘米×20-60厘米。13.一种背接触太阳能电池片的制备方法,其中,该方法包括:a、将形成受光栅线的浆料附着在硅片的受光面,得到受光栅线(1);将背电场...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙翔,姚云江,
申请(专利权)人:比亚迪股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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