压电体元件、压电体设备及其制造方法技术

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通过对使用了铌酸锂钾钠等的无铅压电体层的原子水平结构进行精密控制而谋求提高压电特性的。
技术介绍
具有压电体层的压电体元件根据各种目的加工为各种各样的设备等，特别是广泛用作通过施加电压而产生变形的致动器、以及反过来因元件的变形而产生电压的传感器等功能性电子部件。作为用于致动器和传感器的用途的压电体元件，一直以来广泛使用着具有优异的压电特性的铅系电介质、特别是被称作PZT的Pb (ZivxTix) O3系的钙钛矿型强电介质，通常通过将包含各个元素的氧化物烧结而形成。另外，近年从环境考虑，期望开发出不含铅的压电体元件，正在进行使用了铌酸锂钾钠(通式=(NaxKyLiz)NbO3(0<X<U0<Y<1、0〈Z〈1、x+y+z=l))等的压电体元件的开发。由于该铌酸锂钾钠具有与PZT匹敌的压电特性，因而期待成为非铅的压电体元件材料的有力候选材料。另一方面，目前随着各种电子部件的小型且高性能化的推进，对压电体元件也强烈要求小型化和高性能化。但是，关于通过作为历来的制法的以烧结法为中心的制造方法而制作出的压电体元件的压电体层，其厚度特别是成为IOy本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压电体元件，其特征在于，是在基板上至少层叠下部电极层、由通式(NaxKyLiz)NbO3(0

【技术特征摘要】
2012.08.07 JP 2012-1748371.一种压电体元件，其特征在于，是在基板上至少层叠下部电极层、由通式(NaxKyLiz)Nb03(0〈X≤1、0〈Y≤1、0≤Z≤0.2、x+y+z=l)表示的压电体层、以及上部电极层而得到的压电体元件， 所述压电体层具有假立方晶、正方晶、斜方晶、单斜晶或者菱面体晶的晶体结构、或者所述晶体结构共存的状态，通过电子能量损失分光测定或者X射线吸收微细结构解析而测定的、所述压电体层的膜厚方向的Na-K吸收端的能量的最大值与最小值之差为0.SeV以下。2.根据权利要求1所述的压电体元件，其特征在于，通过所述电子能量损失分光测定或者所述X射线吸收微细结构解析而测定的、所述压电体层的膜厚方向的K-L2吸收端和/或K-L3吸收端的能量的最大值与最小值之差为0.SeV以下。3.一种压电体元件，其特征在于，是在基板上至少层叠下部电极层、压电体层以及上部电极层而得到的压电体元件， 所述压电体层在至少一部分是ABOJ^结晶或非晶质、或者结晶和非晶质混合的状态，所述ABO3由A原子、B原子中的至少一个构成，进一步通过电子能量损失分光测定或者X射线吸收微细结构解析而测定的、所述压电体层的膜厚方向的所述A原子吸收端和/或所述B原子吸收端的能量的最大值与最小值之差为0.SeV以下， 其中，A是选自L1、Na、K、La、Sr、Nd、Ba以及Bi之中的至少一个元素，B是选自Zr、T1、Mn、Mg、Nb、Sn、Sb、Ta以及In之中的至少一个元素，O表示氧。4.根据权利要求1~3中任一项所述的压电体元件，其特征在于，所述下部电极层由单层或者层叠结构的电极层形成，进而，结晶优先取向于与所述基板的表面垂直的方向。5.根据权利要求1~4中任一项所述的压电体元件，其特征在于，所述下部电极层是由Pt或者以Pt为主要成分的合金形成的电极层、或者包含以Pt为主要成分的层的层叠结构的电极层。6.根据权利要求1~4中任一项所述的压电体元件，其特征在于，所述下部电极层是Ru、Ir、Sn、In、或者它们的氧化物。7.根据权利要求1~6中任一项所述的压电体元件，其特征在于，所述上部电极层是由Pt或者以Pt为主要成分的合金形成的电极层、或者包含以Pt为主要成分的层的层叠结构的电极层。8.根据权利要求1~6中任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：末永和史，柴田宪治，渡边和俊，野本明，堀切文正，
申请(专利权)人：日立金属株式会社，
类型：发明
国别省市：