存储器件、存储系统及控制存储器件的读取电压的方法技术方案

本发明专利技术提供了存储器件、存储系统及控制存储器件的读取电压的方法。所述存储器件包括：具有多个存储器单元的存储器单元阵列；以及包括多个页面缓冲器的页面缓冲单元，所述多个页面缓冲器配置为对以不同的读取电压电平分别从所述多个存储器单元中的一些存储器单元中顺序读取的多个数据片段进行存储，并且所述多个页面缓冲器配置为对所述多个数据片段分别执行逻辑操作。所述存储器件还包括计数单元，该计数单元配置为基于所述逻辑操作的结果来对由所述不同的读取电压电平所限定的多个段中的每一段内存在的存储器单元的数量进行计数。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2012年7月23日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2012-0080247号的优先权，其公开通过引用方式全部并入本申请中。
本专利技术构思大体上涉及存储器件，更具体地，涉及存储器件、存储系统以及用于对存储器件的读取电压进行控制的方法。
技术介绍
易失性存储器件的特征是在断电条件下所存储的内容会丢失。易失性存储器件的示例包括某些类型的随机存取存储器(RAM)，例如静态RAM (SRAM)、动态RAM (DRAM)、同步DRAM (SDRAM)等。相反，非易失性存储器件的特征是即使在断电条件下也能保持所存储的内容。非易失性存储器件的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM (PR0M)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM (EEPR0M)、闪存器件、相变RAM (PRAM)、磁性RAM (MRAM)、电阻式 RAM (RRAM)、铁电 RAM (FRAM)等。
技术实现思路
根据本专利技术构思的一方面，提供了一种存储器件，该存储器件包括:存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个存储器单元；页面缓冲单元，该页面缓冲单元包括多个页面缓冲器，所述多个页面缓冲器配置为对以不同的读取电压电平分别从所述多个存储器单元中的一些存储器单元中顺序读取的多个数据片段进行存储，并且所述多个页面缓冲器配置为对所述多个数据片段分别执行逻辑操作；以及计数单元，其配置为基于所述逻辑操作的结果来对由所述不同的读取电压电平所限定的多个段中的每一段内存在的存储器单元的数量进行计数。所述多个页面缓冲器中的每个页面缓冲器都可以对以所述不同的读取电压电平中彼此相邻的两个读取电压电平分别读取的两个数据片段执行XOR操作，并且所述计数单元可以对由关于所述多个段中的每一段的XOR操作所产生的结果“I”的数量进行计数。可以将所述多个存储器单元布置在多条字线和多条位线彼此交叉的区域中，并且所述多个页面缓冲器的数量可以与所述多条位线的数量相对应。所述计数单元可以包括与对其执行读取操作的存储器单元阵列的扇区或页面的数量相对应的计数器。可以在所述存储器件中对所述不同的读取电压电平自动更新。所述存储器件还可以包括电压电平确定单元，该电压电平确定单元对施加于所述存储器单元阵列的不同的读取电压电平进行确定。所述电压电平确定单元可以包括:起始电压存储单元，其存储施加于所述存储器单元阵列的起始读取电压；偏移存储单元，其存储预定义的多个偏移电压；以及加法单元，其将所述多个偏移电压中的一个偏移电压与所述起始读取电压相加。所述起始电压存储单元可以存储所述起始读取电压的数字值，所述偏移存储单元可以存储所述多个偏移电压的数字值，并且所述电压电平确定单元还可以包括电压电平产生单元，该电压电平产生单元根据所述加法单元的输出来产生模拟电压电平。所述起始读取电压可以被确定为相对于不同的存储芯片而改变。所述多个偏移电压可以被确定为相对于不同的存储芯片是相同的。所述存储器件还可以包括低谷检测单元，该低谷检测单元基于由所述计数单元所计数的存储器单元的数量来对与各存储器单元的两个相邻状态之间的低谷相对应的读取电压电平进行检测。所述低谷检测单元可以包括:最小值存储单元，其存储所述多个段中的每一段内存在的存储器单元的数量的最小值；以及最小偏移存储单元，其将与所述多个段中具有所述最小值的段相对应的偏移存储为最小偏移。所述低谷检测单元还可以包括低谷存储单元，该低谷存储单元基于所述最小偏移存储单元中所存储的最小偏移来存储与所述低谷相对应的读取电压电平。所述低谷存储单元可以包括多个低谷存储装置，并且所述多个低谷存储装置的数量可以与各存储器单元的两个相邻状态之间的低谷的数量相对应。每一个存储器单元都可以是n位存储器单元，所述低谷存储单元可以包括多个低谷存储装置，并且所述多个低谷存储装置的数量可以是2n-l。所述存储器件还可以包括读取电压产生单元，该读取电压产生单元向所述存储器单元阵列提供与由所述低谷检测单元所检测到的低谷相对应的读取电压电平作为读取电压。所述读取电压产生单元可以包括:初始读取电压存储单元，其存储多个初始读取电压，所述多个初始读取电压分别与存储器单元的多个状态中的两个相邻状态之间的各个低谷相对应；偏移存储单元，其存储分别与所述各个低谷相对应的多个偏移；以及加法单元，其将所述多个偏移中的一个偏移与所述多个初始读取电压中的一个初始读取电压相加。所述读取电压产生单元还可以包括:第一控制单元，其对所述初始读取电压存储单元进行控制，以选择所述初始读取电压存储单元中所存储的多个初始读取电压中的一个初始读取电压；以及第二控制单元，其对所述偏移存储单元进行控制，以使用所述偏移存储单兀中所存储的多个偏移中的一个偏移来产生读取电压。所述初始读取电压存储单元可以存储所述多个初始读取电压的数字值，所述偏移存储单元可以存储所述多个偏移的数字值，并且所述读取电压产生单元还可以包括电压电平产生单元，该电压电平产生单元根据所述加法单元的输出来产生模拟电压电平。所述存储器件还可以包括预充电确定单元，该预充电确定单元确定是否对与所述多个存储器单元中的至少一个存储器单元相连接的至少一条位线进行预充电。所述至少一个存储器单元可以是其读取电压已经被确定了的存储器单元或者可以是不需要对其读取电压进行检测的存储器单元。所述存储器件还可以包括采样单元，该采样单元对所述页面缓冲单元进行控制，以对所述多个存储器单元中的至少一个存储器单元进行采样，并且执行操作以确定读取电压。根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种存储器件，该存储器件包括:存储器单元阵列，其包括多条位线和多条字线以及位于各条位线和各条字线的各交叉点处的多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每一个存储器单元在至少两个阈值状态之间可编程；读取电压产生器，其配置为将读取电压施加于所述存储器单元阵列的已选字线；页面缓冲单元，其包括分别连接至所述存储器单元阵列的各条位线的多个页面缓冲器；计数器；以及逻辑电路，其配置为执行最小误差搜索(MES)操作。该MES操作包括:对所述读取电压产生器进行控制以将不同的读取电压顺序地施加于所述已选字线；对各页面缓冲器进行控制以对与顺序地施加的不同的读取电压中的至少两个读取电压相对应的各个读取结果执行逻辑操作；以及对所述计数器进行控制以对所述逻辑操作的结果进行计数，其中，所述不同的读取电压在相邻阈值状态的相邻阈值电压之间附近，并且其中，计数结果表示引起所述相邻阈值状态之间的最小读取误差的读取电压。根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种存储系统，该存储系统包括存储器件以及用于对该存储器件进行控制的存储控制器，其中所述存储器件包括:存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；页面缓冲单元，其包括多个页面缓冲器，所述多个页面缓冲器配置为对以不同的读取电压电平分别从所述多个存储器单元中的一些存储器单元中顺序读取的多个数据片段进行存储，并且所述多个页面缓冲器配置为对所述多个数据片段分别执行逻辑操作；以及计数单元，其配置为基于所述逻辑操作的结果来对由所述不同的读取电压电平所限定的多个段中的每一段内存在的存储器单元的数量进行计数。所述存储器件可以向所述存储控制器提供被计数的存储器单元的数量。所述存储器件还可以包括电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器件，包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；页面缓冲单元，其包括多个页面缓冲器，所述多个页面缓冲器配置为以不同的读取电压电平分别从所述多个存储器单元中的一些存储器单元中顺序读取的多个数据片段进行存储，并且所述多个页面缓冲器配置为对所述多个数据片段分别执行逻辑操作；以及计数单元，其配置为基于所述逻辑操作的结果来对由所述不同的读取电压电平所限定的多个段中的每一段内存在的存储器单元的数量进行计数。

【技术特征摘要】
2012.07.23 KR 10-2012-00802471.一种存储器件，包括: 存储器单元阵列，其包括多个存储器单元； 页面缓冲单元，其包括多个页面缓冲器，所述多个页面缓冲器配置为以不同的读取电压电平分别从所述多个存储器单元中的一些存储器单元中顺序读取的多个数据片段进行存储，并且所述多个页面缓冲器配置为对所述多个数据片段分别执行逻辑操作；以及 计数单元，其配置为基于所述逻辑操作的结果来对由所述不同的读取电压电平所限定的多个段中的每一段内存在的存储器单元的数量进行计数。2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述逻辑操作是XOR操作，并且所述多个页面缓冲器中的每个页面缓冲器对以两个读取电压电平分别读取的两个数据片段执行所述XOR操作，所述两个读取电压电平为所述不同的读取电压电平中彼此相邻的两个读取电压电平，并且 所述计数单元对由关于所述多个段中的每一段的XOR操作所产生的结果“I”的数量进行计数。3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述计数单元包括与对其执行读取操作的存储器单元阵列的扇区或页面的数量相对应的计数器。4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，在所述存储器件中对所述不同的读取电压电平自动更新。5.根据权利要 求1所述的存储器件，还包括电压电平确定单元，该电压电平确定单元配置为对施加于所述存储器单元阵列的不同的读取电压电平进行确定。6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述电压电平确定单元包括: 起始电压存储单元，其配置为存储施加于所述存储器单元阵列的起始读取电压； 偏移存储单元，其配置为存储预定义的多个偏移电压；以及 加法单元，其配置为将所述多个偏移电压中的一个偏移电压与所述起始读取电压相加。7.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述起始电压存储单元存储所述起始读取电压的数字值， 所述偏移存储单元存储所述多个偏移电压的数字值，并且 所述电压电平确定单元还包括电压电平产生单元，该电压电平产生单元配置为根据所述加法单元的输出来产生模拟电压电平。8.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述起始读取电压被确定为关于不同的存储芯片而改变。9.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述多个偏移电压被确定为关于不同的存储芯片是相同的。10.根据权利要求1所述的存储器件，还包括低谷检测单元，该低谷检测单元配置为基于由所述计数单元所计数的存储器单元的数量来对与各存储器单元的两个相邻状态之间的低谷相对应的读取电压电平进行检测。11.根据权利要求10所述的存储器件，其中，所述低谷检测单元包括: 最小值存储单元，其配置为存储所述多个段中的每一段内存在的存储器单元的数量的最小值；以及最小偏移存储单元，其配置为将与所述多个段中具有所述最小值的段相对应的偏移存储为最小偏移。12.根据权利要求11所述的存储器件，其中，所述低谷检测单元还包括低谷存储单元，该低谷存储单元配置为基于所述最小偏移存储单元中所存储的最小偏移，来存储与所述低谷相对应的读取电压电平。13.根据权利要求12所述的存储器件，其中，所述低谷存储单元包括多个低谷存储装置，并且 所述多个低谷存储装置的数量与各存储器单元的两个相邻状态之间的低谷的数量相对应。14.根据权利要求10所述的存储器件，还包括读取电压产生单元，该读取电压产生单元配置为向所述存储器单元阵列提供与所述低谷检测单元检测到的低谷相对应的读取电压电平。15.根据权利要求14所述的存储器件，其中，所述读取电压产生单元包括: 初始读取电压存储单元，其配置为存储多个初始读取电压，所述多个初始读取电压分别与存储器单元的多个状态中的两个相邻状态之间的各个低谷相对应； 偏移存储单元，其配置为存储分别与所述各个低谷相对应的多个偏移；以及 加法单元，其配置为将所述多个偏移中的一个偏移与所述多个初始读取电压中的一个初始读取电压相加。16.根据权利要求 15所述的存储器件，其中，所述读取电压产生单元还包括: 第一控制单元，其配置为对所述初始读取电压存储单元进行控制，以选择所述初始读取电压存储单元中所存储的多个初始读取电压中的一个初始读取电压；以及 第二控制单元，其配置为对所述偏移存储单元进行控制，以使用所述偏移存储单元中所存储的多个偏移中的一个偏移来产生读取电压。17.根据权利要求15所述的存储器件，其中，所述初始读取电压存储单元存储所述多个初始读取电压的数字值，所述偏移存储单元存储所述多个偏移的数字值，并且 所述读取电压产生单元还包括电压电平产生单元，该电压电平产生单元配置为根据所述加法单元的输出来产生模拟电压电平。18.根据权利要求1所述的存储器件，还包括预...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔明勋，郑宰镛，朴起台，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：