包含启用电路的装置及系统制造方法及图纸

本发明专利技术描述包含启用电路的装置及系统的实例。可使用两个电压供应来操作所述装置的不同部分，包含外围电路及I/O电路。当停用到一个或一个以上装置的所述外围电路的所述电压供应时，可停用所述装置的所述I/O电路。在一些实例中，可部分地通过消除或减少穿过所述I/O电路的DC电流路径来有利地节省电力。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术描述包含启用电路的装置及系统的实例。可使用两个电压供应来操作所述装置的不同部分，包含外围电路及I/O电路。当停用到一个或一个以上装置的所述外围电路的所述电压供应时，可停用所述装置的所述I/O电路。在一些实例中，可部分地通过消除或减少穿过所述I/O电路的DC电流路径来有利地节省电力。【专利说明】包含启用电路的装置及系统
本专利技术的实施例大体来说涉及半导体存储器，且更特定来说，描述用于双供应电压存储器的接口电路的实例。
技术介绍
随着电子装置(例如膝上型计算机、便携式数字助理、数码相机、移动电话、数字音频播放器、视频游戏控制台等)的日益流行，对非易失性存储器的需求也在上升。非易失性存储器以各种类型出现，包含快闪存储器。当今，快闪存储器广泛地用于电子装置(例如上文所提及的那些电子装置)中的快速信息存储装置。一股通过将电荷存储于浮动栅极上来编程快闪存储器单元。此后，甚至在已从快闪存储器装置移除电力之后，电荷也可在栅极上保持达无限周期。因此，快闪存储器装置为非易失性的。通过将适当电压施加到控制栅极及漏极或源极而将电荷存储于浮动栅极上。举例来说，可通过将源极接地同时将充足大的正电压施加到控制栅极以吸引电子(所述电子从沟道区隧穿栅极氧化物而到达浮动栅极)而将负电荷置于浮动栅极上。可通过将相对于源极为正的电压施加到控制栅极来读取快闪存储器单元。存储于快闪存储器单元上的电荷的量确定为允许快闪存储器单元在源极与漏极之间传导电流而必须施加到控制栅极的电压的量值。随着将负电荷施加到浮动栅极，快闪存储器单元的阈值电压增加，因此增加为允许快闪存储器单元传导电流而必须施加到控制栅极的电压的量值。在读取操作期间，将读取电压施加到控制栅极，所述读取电压大到足以在不充足电荷存储于浮动栅极上的情况下使单元变为导通，但并不大到足以在充足电荷存储于浮动栅极上的情况下使单元变为导通。在读取操作期间，用作单元的输出端子的漏极被预充电到正电压，且源极耦合到接地。因此，如果快闪存储器单元的浮动栅极被充足充电，那么漏极将保持处于正电压。如果快闪存储器单元的浮动栅极未被充足充电，那么单元将使漏极接地。在快闪存储器单元可被编程之前，可通过从浮动栅极移除电荷来擦除所述单元。可通过将具有与用于编程的电压相反的极性的栅极到源极电压施加到单元来擦除所述单元。举例来说，可使控制栅极接地，且将大的正电压施加到源极以致使电子隧穿栅极氧化物并从浮动栅极耗尽电荷。在另一方法中，将相对大的负电压施加到控制栅极，且将正电压(例如供应电压)施加到源极区。典型的快闪存储器装置包含含有布置成若干行及列的大量快闪存储器单元的存储器阵列。两种常见类型的快闪存储器阵列架构为“NAND”及“N0R”架构，如此称谓是因为布置每一者的基本快闪存储器单元配置的逻辑形式。典型的快闪存储器阵列可包含划分成若干个块的大量快闪存储器单元。每一块可包含若干个行，其中同一行中的单元使其控制栅极耦合到共同字线。同一列中的单元可使其源极及漏极彼此串联连接。因此，每一块的同一列中的所有存储器单元通常彼此串联连接。块中的上部快闪存储器单元的漏极通过选择栅极晶体管耦合到位线。所述位线中的每一者输出指示存储于阵列的相应列中的数据位的相应位线信号BL1-BLN。所述位线可穿过多个块延伸到相应读出放大器。可通过在每一快闪存储器单元中存储多个数据位来增加快闪存储器阵列的存储容量。此可通过在每一单元的浮动栅极上存储多个电荷电平来实现。这些存储器装置通常称为多位或多电平快闪存储器单元(称作“MLC存储器单元”)。在MLC单元中，将对应于在相应电压范围内定义的不同阈值电压电平的多个二进制数据位存储于单个单元内。每一不同阈值电压电平对应于数据位的相应组合。具体来说，数目为N的位需要2N个不同阈值电压电平。举例来说，为使快闪存储器单元存储2个数据位，需要对应于位状态00、01、10及11的4个不同阈值电压电平。当读取存储器单元的状态时，存储器单元传导电流的阈值电压电平对应于表示编程到所述单元中的数据的位的组合。存储于每一快闪存储器单元中的两个或两个以上位可为同一数据页中的邻近位。然而，更经常地，将一个位视为一个数据页中的位，且将另一位视为邻近数据页中的对应位。对于阵列中的所有存储器单元行，指派给相应电荷电平的位状态通常为相同的。指派给阵列中的快闪存储器单元的位状态通常在硬件中实施且因此在快闪存储器装置的操作期间无法改变。存储器装置可利用相对高的电压来进行读取及编程操作。在一个实例中，5V可用于读取操作且20V用于编程操作。可在存储器装置上由外部供应的电压在内部产生这些电压。在一个实例中，外部供应的电压可为3V。用于读取及编程操作的线驱动器及读出放大器可使用基于此外部供应的电压而产生的经升压电压来操作。存储器装置上的输入及输出缓冲器电路一股可需要驱动耦合到所述存储器装置的输入/输出总线。由于总线可具有与其相关联的显著电容，因此用于驱动所述总线的电压一股应为低的。在一些实例中，用于为读取及编程操作产生经升压电压的外部供应的电压可能太高以致对于由输入/输出缓冲器使用来说并不合意。因此，存储器装置可具有双电力供应。可使用一股称为V。。」。的一个外部供应的电压来操作电力输入/输出电路并驱动输入/输出总线。在一个实例中，Vcx i。可为1.8V。可使用一股称为的第二外部供应的电压来为外围电路(例如在存储器装置的读取及编程操作中使用的线驱动器及放大器)供电。图1是根据现有技`术的双电力供应存储器装置的示意性图解说明。存储器装置100可包含存储器阵列110，其可包含任何数目个存储器单元。外围电路115可耦合到存储器阵列110且经配置以从存储器阵列110读取数据并将数据编程到存储器阵列110中。外围电路115经配置以接收外部供应的电压V。。^如上文所提及，外围电路115可包含一个或一个以上电压升压电路，其可将电压Vcxjjwi升压到用于读取或编程存储器阵列110的电压。I/O电路120可耦合到外围电路115及I/O总线125。I/O电路125可包含从总线125接收数据或将数据驱动到总线125上的缓冲器电路。所述I/O电路经配置以接收第二外部供应的电压V。。」。。Vcc io电压可不同于Vcx pwi电压。特定来说，如上文所提及，V。。」。电压可低于V。。pOTi电压。I/O总线125耦合到存储器控制器130。
技术实现思路
【专利附图】【附图说明】图1是根据现有技术的双电力供应存储器装置的示意性图解说明。图2是根据本专利技术的实施例的存储器系统的示意性图解说明。图3是根据本专利技术的实施例的存储器装置的组件的示意性图解说明。图4是根据本专利技术的实施例的接口电路的示意性图解说明。图5是根据本专利技术的实例的输出缓冲器的示意性图解说明。图6是根据本专利技术的实例的输入缓冲器的示意性图解说明。图7是根据本专利技术的实例的电压检测器的示意性图解说明。图8是根据本专利技术的实施例的波形的示意性图解说明。图9是根据本专利技术的实施例的存储器装置的组件的示意性图解说明。图10是根据本专利技术的实施例的启用电路的示意性图解说明。图11是图解说明根据本专利技术的实施例的图10的启用电路950的操作的时序图。图12是根据本专利技术的实施例的电平移位器的示意性图解说明。图13是根本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种系统，其包括：多个装置；控制器；输入/输出I/O总线，其耦合到所述多个装置及所述控制器；其中所述多个装置各自包括：存储器阵列，其包含多个存储器单元；外围电路，其耦合到所述存储器阵列且经配置以接收第一供应电压；输入/输出电路，其耦合到所述I/O总线且经配置以接收不同于所述第一供应电压的第二供应电压，其中所述输入/输出电路进一步经配置以根据控制信号而被停用；及启用电路，其耦合到所述I/O电路且经配置以至少部分地基于所述第一供应电压的电压而提供所述控制信号。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹沢彻，阿里·法伊兹·扎尔林·加莱姆，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：
国别省市：