【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其包括如下步骤：（1）对硅基半导体进行清洗，之后在其表面镀钯；（2）对化合物半导体进行清洗，之后与步骤（1）中所述镀钯的硅基半导体相对，保持钯层位于两种半导体之间作为中间介质键合层，之后将两种半导体进行热压键合。本专利技术所述的低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，本专利技术方法可以在200-300℃的相对低温下，仅采用钯层作为中间介质键合层实现了将硅基半导体与化合物半导体键合在一起，不仅成本较低，工艺过程简单，而且有效避免中间介质键合层溢流、粘片且难以卸片的问题。【专利说明】
本专利技术涉及一种低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，属于半导体制造的
。
技术介绍
硅基半导体是现代微电子产业的基石，但由于硅本身的物理性质，硅基半导体器件都是无源器件，当将硅基半导体应用于光电信息领域时，需要与化合物半导体结合并由化合物半导体提供能量才能组成整套光电信息处理系统。其中，II1-VGnGaAs，InP等)族化合物半导体由于其发射波长对硅材料是透明的，因此II1-...
【技术保护点】
一种低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其包括如下步骤：（1）对硅基半导体进行清洗，之后在其表面镀钯；（2）对化合物半导体进行清洗，之后与步骤（1）中所述镀钯的硅基半导体相对，保持钯层位于两种半导体之间作为中间介质键合层，之后将两种半导体进行热压键合。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王子昊，曹亮，崔德国，谈捷，刘城，
申请(专利权)人：苏州矩阵光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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