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本发明涉及一种低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其包括如下步骤：（1）对硅基半导体进行清洗，之后在其表面镀钯；（2）对化合物半导体进行清洗，之后与步骤（1）中所述镀钯的硅基半导体相对，保持钯层位于两种半导体之间作为中间介质键合层...
该专利属于苏州矩阵光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州矩阵光电有限公司授权不得商用。

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