发光二极管阵列制造技术

一种发光二极管阵列在此揭露，其中发光二极管阵列包括导电基板、多个发光二极管芯片、多条导线以及绝缘结构。发光二极管芯片配置于导电基板上，导线连接发光二极管芯片，绝缘结构位于导线下方，其中当导线塌陷时，绝缘结构阻隔导线与导电基板，以避免导线接触导电基板。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种发光二极管阵列在此揭露，其中发光二极管阵列包括导电基板、多个发光二极管芯片、多条导线以及绝缘结构。发光二极管芯片配置于导电基板上，导线连接发光二极管芯片，绝缘结构位于导线下方，其中当导线塌陷时，绝缘结构阻隔导线与导电基板，以避免导线接触导电基板。【专利说明】发光二极管阵列
本专利技术是关于一种光源，且特别是关于一种发光二极管阵列。
技术介绍
随光学技术的发展，以发光二极管所构成的光源由于具备寿命长、开关速度高、体积小等优点，已被广泛地应用在人们生活当中。在各式常见的发光二极管阵列中，板上芯片(chips on board, COB)由于体积小、成本低以及发光密集的优点，被大量使用在多种不同的光源中。COB的做法为，首先将多个发光二极管芯片固晶于具有电极的基板上，而后再以导线连接发光二极管芯片和基板上的电极。一般而言，发光二极管阵列中，在基板上往往会具有部分导电结构，比如说电极或电路。另一方面，基板由于与发光二极管芯片接触，须具备良好的导电性，故时常选用金属做为基板。然而当基板上具备导电结构或基板本身为一导电基板时，基板本身或基板的导电结构容易因外力或其它因素而与连接发光二极管芯片的导线并发生短路，而造成系统不稳或毁损。因此，为使发光二极管阵列更为可靠，新的架构有需要被提出。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于提出一种发光二极管阵列，其可应用于各式高集成的发光光源。根据本专利技术一实施例，发光二极管阵列包括导电基板、多个发光二极管芯片、多条导线以及绝缘结构。发光二极管芯片配置于导电基板上。导线连接发光二极管芯片。绝缘结构位于导线下方，其中当导线塌陷时，绝缘结构阻隔导线与导电基板，以避免导线接触导电基板。在本专利技术一实施例中，上述导电基板为金属承载板。在本专利技术一实施例中，上述绝缘结构以画胶方式涂布于导电基板上或将绝缘结构粘着于导电基板上。在本专利技术一实施例中，上述绝缘结构的反射率大于90%。在本专利技术一实施例中，上述绝缘结构由光学塑胶与高反射粒子的混合物所构成，而高反射粒子为由二氧化钛、硫酸钡、二氧化硅及氧化铝组成的物质群中选择的至少一种物质所构成。在本专利技术一实施例中，上述绝缘结构为圆弧形、角锥形等几何形状。在本专利技术一实施例中，绝缘结构的穿透率大于90%。在本专利技术一实施例中，上述绝缘结构由光学塑胶所构成。在本专利技术一实施例中，上述光学塑胶由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、丙烯基二甘醇碳酸酯(CR-39)、聚苯乙烯(PS)、环氧树脂(印oxy)、聚酰胺(polyamide)、丙烯酸酯(acrylate)及娃胶组成的物质群中选择的至少一种物质所构成。在本专利技术一实施例中，发光二极管阵列还包括突光转换层、电极以及反射框。突光转换层覆盖于导电基板与发光二极管芯片上。电极配置于导电基板上，其中导线连接电极。反射框配置于发光二极管芯片外围。综上所述，应用本专利技术的实施例，可实现一高稳定度的发光二极管阵列，其至少具有下列优点。一、当发光二极管阵列的导线受外力或其它原因而塌陷时，透过绝缘结构的阻隔，可避免因导线与导电基板接触而造成的漏电或短路。二、透过绝缘结构在构造或是在材质上的选用，可透过反射发光二极管所发射的光线，以增加发光二极管阵列的发光效率。三、绝缘结构可使用画胶方式涂布于导电基板，其制程简易，而能有效提升发光二极管阵列的可靠度。【专利附图】【附图说明】 明如下:为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说图1为根据本专利技术一实施例所绘示的发光二极管阵列的示意图；图2为根据图1的发光二极管阵列沿线段2-2的剖面示意图；图3为根据本专利技术一实施例所绘示的发光二极管阵列的剖面示意图。【主要元件符号说明】100:发光二极管阵列110:导电基板120:发光二极管芯片130:导线140:绝缘结构150:反射框160:电极170:绝缘层180:荧光转换层2 — 2:线段【具体实施方式】以下将以附图及详细叙述清楚说明本专利技术的精神，任何所属
中具有通常知识者在了解本专利技术的较佳实施例后，当可由本专利技术所教示的技术，加以改变及修饰，其并不脱离本专利技术的精神与范围。参照图1、图2，图1为根据本专利技术一实施例所绘示的发光二极管阵列100的示意图。图2为根据图1的发光二极管阵列模组100沿线段2 - 2的剖面示意图。发光二极管阵列100包括导电基板110、多个发光二极管芯片120、多条导线130以及绝缘结构140。其中导电基板110为发光二极管芯片120的载体，可为一金属基板，一导电材料所制的基板，或为一具有导电结构(举例而言，电路或电极)的基板。发光二极管芯片120用以发射光线，配置于导电基板110上。导线130连接发光二极管芯片120，可用金属或其它导电材质构成。绝缘结构140位于导线130下方，可用各式绝缘物质构成，例如树脂。在上述的结构中，由于绝缘结构140设置于导线130下方，是以当导线130受外力或其它因素而塌陷时，绝缘结构140阻隔导线130与导电基板110，以避免导线130接触导电基板110而造成漏电或短路，进而导致电路不稳定。在本专利技术的一些实施例中，在发光二极管阵列100中的全部的发光二极管芯片120可区为分多列发光二极管120，其中每一列发光二极管由多条导线130串接多个发光二极管芯片120所形成，每一列发光二极管大致彼此平行。绝缘结构140可为多条连续的长条结构，大致垂直于每一列发光二极管，且每一长条结构与多列发光二极管120交错，如图1所示。在上述发光二极管阵列100的架构中，导线130无论朝任何方向倾倒或塌陷，皆可被绝缘结构140所承接，而避免导线130接触导电基板110，造成漏电或短路。在本专利技术的一些实施例中，导电基板110可特别为一金属承载板，其具有高导热的特性，可避免载放于导电基板Iio上的发光二极管芯片120因温度上升而导致发光效率下降。在本专利技术的一些实施例中，就性质而言，绝缘结构140可具有高光线穿透率，以避免发光二极管芯片120所发射的光线为绝缘结构140所吸收或散射。举例而言，绝缘结构140的光线穿透率应至少大于光线吸收率与光线散射率的和，亦即，能穿透绝缘结构140的光线能量应至少大于被绝缘结构140所散射的光线能量与所吸收的光线能量之和。在一些较佳的实施例中，该绝缘结构140的穿透率可大于约90%。以使发光二极管芯片120所发射的光线尽可能不被绝缘结构140所吸收。就材料上，高光线穿透率的绝缘结构140可由高光线穿透率的光学塑胶所构成。而光学塑胶，举例而言，可由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、丙烯基二甘醇碳酸酯(CR-39)、聚苯乙烯(PS)、环氧树脂(epoxy)、聚酰胺(polyamide)、丙烯酸酯(acrylate)及硅胶组成的物质群中选择的至少一种物质所构成。值得注意的是，上述材料仅为实施上的例示，绝缘结构140随实际需求，可由其它不同的高光线穿透率的材质所构成，而不以上述为限。另一方面，在本专利技术其它一些实施例中，绝缘结构140可具有高光线反射率，以使发光二极管芯片120所发射的光线为绝缘结构140所反射，而增进发光二极管阵列100发光效率。举例而言，绝缘结构140的光线反射率应至少大于光线吸收率与光线散射率的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管阵列，其特征在于，包括：一导电基板；多个发光二极管芯片，配置于该导电基板上；多条导线，连接所述多个发光二极管芯片；以及一绝缘结构，位于所述多条导线下方，其中当所述多条导线塌陷时，该绝缘结构阻隔所述多条导线与该导电基板，以避免所述多条导线接触该导电基板。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：田运宜，梁建钦，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：