【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术有关于一种具有光屏蔽层以及硬掩模膜的空白掩模，所述光屏蔽层包含光阻挡层以及抗反射层。所述光阻挡层以及所述抗反射层通过组合由MoSi化合物形成的层与由MoTaSi化合物形成的层而形成。因此，所述空白掩模实现32纳米或更小的图案的形成，这是因为所述光屏蔽层可形成为200埃到700埃的厚度且形成具有对应于所述图案的分辨率的图案逼真度的光掩模。所述光屏蔽层具有在193纳米的曝光波长下的2.0到4.0的光学密度、耐化学性以及用于缺陷修补的充足工艺裕量。另外，硬掩模膜使用包含锡和铬的化合物而形成为20埃到50埃的厚度，进而降低硬掩模膜的蚀刻速率。因此，抗蚀剂膜可形成为薄膜，进而制造高分辨率空白掩模。【专利说明】相关申请案的交叉参考本申请案主张2012年6月29日申请的韩国专利申请案第2012-0070772号的优先权与效益，其全文以参考方式并入本文。
本专利技术涉及，且更明确地说，涉及可形成为具有32纳米或更小的分辨率且具有对应于所述分辨率的图案逼真度的空白掩模，以及使用所述空白掩模来制造光掩模的方法。
技术介绍
如今，由于大规模集成电路(IC)...
【技术保护点】
一种空白掩模，其特征在于其在透明衬底上，包含光屏蔽层以及硬掩模膜，其中所述硬掩模膜包括锡、铬以及钽中的至少一者。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：南基守，姜亘远，梁澈圭，李钟华，张圭珍，
申请(专利权)人：株式会社SS技术，
类型：发明
国别省市：
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