【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供具有半节距为32纳米或小于32纳米(尤其半节距为22纳米或小于22纳米)的高分辨率图案的光掩模，其通过形成空白掩模来制造，在所述空白掩模中，在透明衬底上形成不透光膜和相对于所述不透光膜厚度较小并且蚀刻选择性较高的硬膜。光掩模可以通过调节构成不透光膜的金属、硅以及少量元素的组成比率而具有较高质量，以抑制在电子束修复工艺期间二氟化氙气体对图案的破坏。【专利说明】空白掩模和光掩模 相关申请案的交叉参考 本申请案主张2013年10月2日申请的韩国专利申请案第2013-0117681号的优 先权和权益，所述专利申请案的披露内容以全文引用的方式并入在此。
本专利技术涉及空白掩模和光掩模，并且更确切地说，涉及包含可适用于32纳米或小 于32纳米半节距（half-pitch)和尤其22纳米或小于22纳米半节距的硬膜的空白掩模、 和光掩模。
技术介绍
当今，随着半导体装置的集成度变得较高，已经开发出在436纳米g线、405纳米h 线、365纳米i线、248纳米KrF激光和193纳米ArF激光下使用的光刻技术以改良半导体 电路图案...
【技术保护点】
一种空白掩模，所述空白掩模包括在透明衬底上形成的不透光膜以及硬膜，其中在形成图案之后的修复工艺中，所述不透光膜被所注入气体破坏的程度以0到0.5的各向异性比率形式数字化，其中所述各向异性比率是所述图案的横向破坏与蚀刻深度的比率。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：南基守，姜亘远，申澈，李钟华，梁澈圭，金昌俊，郑始俊，张圭珍，
申请(专利权)人：株式会社SS技术，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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