准单晶铸锭炉坩埚平台升降装置的真空密封结构制造方法及图纸

技术编号:9553350 阅读:147 留言:0更新日期:2014-01-09 18:26
本实用新型专利技术涉及一种准单晶铸锭炉坩埚平台升降装置的真空密封结构,包括炉壳、移动立柱、支撑座,所述支撑座内设有真空密封橡胶圈、垫圈、油毡和压盖,所述炉壳内流通有冷却水。本实用新型专利技术结构合理,使坩埚平台升降装置的移动立柱在运动中能保持炉内的密封,不会有空气进入设备内部,满足其生产工艺要求,解决了在生产中铸锭炉内部保持真空的需求。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种准单晶铸锭炉坩埚平台升降装置的真空密封结构,包括炉壳、移动立柱、支撑座,所述支撑座内设有真空密封橡胶圈、垫圈、油毡和压盖,所述炉壳内流通有冷却水。本技术结构合理,使坩埚平台升降装置的移动立柱在运动中能保持炉内的密封,不会有空气进入设备内部,满足其生产工艺要求,解决了在生产中铸锭炉内部保持真空的需求。【专利说明】准单晶铸锭炉坩埚平台升降装置的真空密封结构
本技术属于准单晶铸锭炉
,特别涉及准单晶铸锭炉坩埚平台升降装置的真空密封结构。
技术介绍
准单晶是在准单晶铸锭炉上采用诱导式方法铸造结晶获得的,再经过开方,切片环节,可生产出的具有高转换率的准单晶硅片。其主要工艺是通过在准单晶铸锭炉石英坩埚的底部增加籽晶,并在真空和保护气氛状态下,采用精确分段控温,保证硅料融化时籽晶部分融化,由此长出单晶。此项技术具备多晶硅铸锭高产出、高品质、低能耗的优点。产出的准单晶位错在允许范围内,光电转换效率明显高于多晶硅。这种通过铸锭的方式形成单晶硅的技术,其功耗只比普通多晶硅多5%,所生产的单晶硅的质量接近直拉单晶硅。这种技术就是用多晶硅的成本,生产单晶硅的技术。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种准单晶铸锭炉坩埚平台升降装置的真空密封结构,包括炉壳、移动立柱、支撑座,其特征在于:所述支撑座内设有真空密封橡胶圈、垫圈、油毡和压盖;所述支撑座设置在炉壳底部,移动立柱置于中空的支撑座内部,支撑座的下端设有沉孔,沉孔内与移动立柱之间设有两个真空密封橡胶圈,两个真空密封橡胶圈的外圈之间设有垫圈,两个真空密封橡胶圈的内圈之间设有油毡,沉孔端部设有压盖。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:水川许柏
申请(专利权)人:安徽大晟新能源设备科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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