本发明专利技术涉及半导体元件用基板的弯曲矫正装置及弯曲矫正方法。该弯曲矫正装置具备：喷射机构，其包含进行喷射处理的喷嘴；吸附台，其在主面侧或成膜面侧吸附并保持半导体元件用基板；移动机构，其按照使半导体元件用基板相对于由喷嘴喷射的喷射材料的喷射区域而相对移动的方式使吸附台移动；喷射处理室，其收容被保持于吸附台的半导体元件用基板，且在内部进行喷射处理；测定机构，其测定半导体元件用基板的弯曲；及控制装置，其基于目标弯曲量与由测定机构测定出的弯曲量之差，进行喷射机构的喷射处理条件的设定处理及已进行了喷射处理的半导体元件用基板是否合格的判断中的至少一方。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术涉及。该弯曲矫正装置具备：喷射机构，其包含进行喷射处理的喷嘴；吸附台，其在主面侧或成膜面侧吸附并保持半导体元件用基板；移动机构，其按照使半导体元件用基板相对于由喷嘴喷射的喷射材料的喷射区域而相对移动的方式使吸附台移动；喷射处理室，其收容被保持于吸附台的半导体元件用基板，且在内部进行喷射处理；测定机构，其测定半导体元件用基板的弯曲；及控制装置，其基于目标弯曲量与由测定机构测定出的弯曲量之差，进行喷射机构的喷射处理条件的设定处理及已进行了喷射处理的半导体元件用基板是否合格的判断中的至少一方。【专利说明】
本专利技术涉及用于矫正产生在蓝宝石基板等半导体元件用基板的弯曲的。
技术介绍
发光二极管等半导体元件通过利用外延结晶生长在蓝宝石等半导体元件用基板的主面(研磨面)形成半导体膜、例如GaN系列化合物半导体膜且形成电极等来制造。半导体膜是一边加热半导体元件用基板一边成膜，其后冷却至常温。因此，因冷却时半导体元件用基板与半导体膜的热膨胀差，而产生向半导体膜侧凸出的弯曲。为了矫正该弯曲，例如，专利文献I中揭示有使用以4.9X IO4?4.9X IO6Pa的压力按压的大型压制装置来矫正弯曲的技术。另外，专利文献2中揭示有通过对蓝宝石基板的内部聚光和扫描脉冲激光来改造内部从而矫正弯曲的技术。专利文献1:日本特开2003-128499号公报专利文献2:日本特开2010-165817号公报在专利文献I所记载的技术中，需要在进行外延生长的MOCVD(Metal-OrganicChemical Vapor Deposition,有机金属化学汽相淀积)装置中设置压制机构,装置成本增大并且不适合大量生产。另外，在增大以大量生产为目的的半导体元件用基板大小的要求中，还可能发生按压时的半导体元件用基板破裂等的发生频率变高从而产率下降的情况。在专利文献2所记载的技术中，为了将激光照射至蓝宝石基板的内部而要求较高的表面粗糙度，所以研磨工序的负荷增大。另外，为了向规定位置照射激光而要求较高的位置精度，所以装置成本增加。另外，在于成膜之后照射激光来进行半导体元件用基板的改造的情况下，因为弯曲量根据成膜的膜的材质、膜厚等而变化或者即使为相同的成膜条件弯曲量仍产生偏差，所以有可能即使使激光的照射条件一定弯曲的矫正量仍不稳定，从而产率无法提高。在本
中，期待一种能够以高效率的且适合大量生产的方法来矫正半导体用基板的弯曲的。
技术实现思路
本专利技术的一方式所涉及的装置是一种矫正半导体元件用基板的弯曲的弯曲矫正装置，其具备:喷射机构，其具有喷嘴，该喷嘴进行向上述半导体元件用基板中的主面的相反侧或成膜面的相反侧即背面喷射喷射材料的喷射处理；吸附台，其吸附上述半导体元件用基板的主面或成膜面来保持上述半导体元件用基板；移动机构，其按照使上述半导体元件用基板相对于由上述喷嘴喷射的喷射材料的喷射区域而相对移动的方式来使上述吸附台移动；喷射处理室，其收容被保持于上述吸附台的上述半导体元件用基板，且在内部进行喷射处理；测定机构，其测定上述半导体元件用基板的弯曲量；以及控制装置，其基于预先设定的目标弯曲量与由上述测定机构测定出的上述半导体元件用基板的弯曲量之差，进行上述喷射机构的喷射处理条件的设定处理及已进行了喷射处理的上述半导体元件用基板是否合格的判断中的至少一方。本专利技术的一方式所涉及的装置由喷射机构等装置成本低的单元构成，并且能够进行如下的喷射处理:基于预先设定的目标弯曲量和由测定机构测定出的半导体元件用基板的弯曲量设定适当的喷射处理条件来矫正半导体元件用基板的弯曲。因此，根据该装置，能够以高效率的且适合大量生产的方法来矫正半导体用基板的弯曲。另外，因为该装置能够通过测定机构对已进行了喷射处理的半导体元件用基板的弯曲量进行测定且进行判断是否为目标弯曲量以下(目标弯曲量的允许范围内)的是否合格的判断，所以能够提高产率，并且能够高效地进行弯曲矫正处理。在一实施方式中，上述吸附台可包括:吸附部，其设于载放上述半导体元件用基板的区域，且吸附并固定上述半导体元件用基板；以及净化部，其设于上述区域内且比上述吸附部更靠上述区域的外缘侧，且从在上述半导体元件用基板的外缘与吸附台之间形成的间隙向上述区域外喷射压缩空气。半导体元件用基板在被吸附并固定于吸附台的状态下发生弯曲。因此，有可能在半导体元件用基板的外周端部在半导体元件用基板与吸附台之间形成间隙，喷射材料进入从而损伤在半导体元件用基板的主面形成有半导体膜的成膜面或主面。根据一实施方式所涉及的专利技术，因为通过净化部将压缩空气从半导体元件用基板与吸附台的间隙向载放有半导体元件用基板的区域的外侧喷射，所以能够防止喷射材料侵入至间隙。因此，能够防止半导体元件用基板因喷射材料而损伤。在一实施方式中，上述吸附台也可以包括吸附部，该吸附部至少设于与上述半导体元件用基板的外缘且未形成半导体元件的区域相对应的位置，且吸附并固定上述半导体元件用基板。通过如此构成，因为能够在半导体元件用基板的外缘(外周附近)的区域且未形成半导体元件的区域吸附并保持半导体元件用基板，所以能够防止因喷射材料的侵入而损伤半导体元件。在一实施方式中，也可以构成为上述喷射机构及上述吸附台中的至少一方按照向上述半导体元件用基板的上述整个背面喷射喷射材料的方式，相对于由上述喷嘴喷射的喷射材料的喷射区域来相对扫描上述半导体元件用基板。通过如此构成，因为通过在喷射处理中对整个背面喷射喷射材料，能够使由喷射材料产生的碰撞能量作用于半导体元件用基板整体，所以能够有效地矫正弯曲。在一实施方式中，也可以在上述喷射处理室的一侧面设置吸引并除去喷射材料的吸引部，并且在上述喷射处理室的另一侧面形成使保持有上述半导体元件用基板的上述吸附台通过的开口部，并且上述开口部被开口成在插入保持有上述半导体元件用基板的上述吸附台时在与该吸附台或该半导体元件用基板之间形成用于吸引外部空气的空隙的大小。通过如此构成，因由吸引部吸引的外部空气而产生从开口部朝向吸引部的气流。因此，由喷射机构喷射的喷射材料不会绕回至半导体元件用基板的主面或成膜面而是朝向吸引部。由此，能够避免由于喷射材料而因喷射材料损伤该主面或该成膜面，或者喷射材料附着。另外，能够避免喷射材料从该开口部漏出至喷射处理室的外部。在一实施方式中，上述喷射处理室的内部也可以由形成有不妨碍上述半导体元件用基板的移动的狭缝的壁部而分隔。在一实施方式中，也可以构成为，上述吸附台构成为通过上述移动机构在水平面内可移动，上述壁部配置成铅直方向的两端部与上述喷射处理室的上表面及底部连接且包围上述喷嘴的喷射区域，上述狭缝形成在与上述吸附台可移动的水平面内重叠的位置。通过如此构成，通过壁部能够防止喷射材料扩散至整个喷射处理室。另外，通过上述狭缝，能够避免干扰用于处理半导体元件用基板的动作。在一实施方式中，该装置也可以具备清洁机构，该清洁机构设于上述喷射处理室的开口部侧的侧面，用于除去附着于半导体元件用基板的喷射材料。通过如此构成，在将半导体元件用基板从该喷射处理室取出时，能够通过清洁机构除去附着于该半导体元件用基板表面的喷射材料。因此，能够避免喷射材料漏出至喷射材料处理室外。在一实施方式中，也可以在上述是否合格的判断中，当判断为已本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：井上巧一，前田和良，涩谷纪仁，
申请(专利权)人：新东工业株式会社，
类型：
国别省市：
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