薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置。该薄膜晶体管包括基板以及设置于所述基板上的栅极、同层设置的源极和漏极以及设置于所述栅极与所述源极和所述漏极之间的绝缘层，其中，与所述栅极同层设置有栅极预形成层，所述栅极形成在所述栅极预形成层中；和/或，与所述源极和所述漏极同层设置有源漏预形成层，所述源极和所述漏极形成在所述源漏预形成层中。本发明专利技术的有益效果是：该薄膜晶体管结构以及相应的阵列基板中，能够有效减缓栅极或源极和漏极因斜坡处的刻蚀缺陷所带来的负面效果，杜绝后续膜层的凸出状况或凹陷造成的不连续状况的可能，提高显示装置的品质。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置。
技术介绍
随着科学技术的发展，平板显示装置已取代笨重的CRT(CathodeRayTube,阴极射线管)显示装置日益深入人们的日常生活中。目前，常用的平板显示装置包括LCD（LiquidCrystalDisplay：液晶显示装置）和OLED（OrganicLight-EmittingDiode:有机发光二极管）显示装置。在成像过程中，LCD和有源矩阵驱动式OLED（ActiveMatrixOrganicLightEmissionDisplay，简称AMOLED）显示装置中都包括形成在阵列基板中的薄膜晶体管（ThinFilmTransistor：简称TFT）。薄膜晶体管是实现LCD和有源矩阵驱动式OLED显示装置显示的关键，直接关系到高性能显示装置的发展方向。如图1所示，一种薄膜晶体管的典型结构包括基板1以及在基板上形成的栅极2、栅绝缘层4、有源层5、刻蚀阻挡层6和形成在刻蚀阻挡层6上方的源极7和漏极8。目前，制备薄膜晶体管的工艺过程通常为采用构图工艺，从下而上依次制备形成包括各膜层的图形，由于薄膜晶体管的膜层数较多，因此在采用构图工艺形成各膜层的过程中，例如沉积和刻蚀步骤中，很容易因为先形成的某个膜层在图形的突变处，例如：图1中所示的斜坡处因刻蚀不规则而形成微小的凸出或凹陷的缺陷15（当然，也有可能为凹陷至整层的缺陷）。图1中，栅绝缘层4因受到过刻而形成凹陷，若凹陷过深或过大，随着镀膜的进行，由于后续膜层沉积时都很难进入上方有阻挡的部位，缺陷不会得到填充，而刻蚀时产生的一部分过刻很轻易就将沉积的膜层刻蚀掉，形成越来越严重的缺陷，最终导致本不该连接的膜层间相互接触，例如可能形成图1中有源层5在对应着该缺陷的区域不连续的情况，进而造成源极7与栅极2的绝缘被破坏，引起源极7与栅极2的连接。可以推断，一旦出现了某个膜层在图形的突变处的凸出或凹陷，随着多个构图工艺的累积，后续膜层的凸出状况或凹陷造成的不连续状况会进一步加剧，引起显示面板的不良，尤其是因凹陷而引起的金属电极之间的连接，最终将导致显示面板漏电。而显示面板一旦漏电，将导致整块显示面板的报废，造成生产成本的极大浪费。因此，设计出薄膜晶体管中各膜层不会受制备工艺影响而出现绝缘问题，尤其是金属电极之间能有效地防漏电的结构，提高产品质量成为目前业界亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置，该薄膜晶体管以及相应的阵列基板中，能够有效减缓栅极或源极和漏极因斜坡处的刻蚀缺陷所带来的负面效果，杜绝后续膜层的不连续的可能，提高显示装置的品质。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是该薄膜晶体管，包括基板以及设置于所述基板上的栅极、同层设置的源极和漏极以及设置于所述栅极与所述源极和所述漏极之间的绝缘层，与所述栅极同层设置有栅极预形成层，所述栅极形成在所述栅极预形成层中；和/或，与所述源极和所述漏极同层设置有源漏预形成层，所述源极和所述漏极形成在所述源漏预形成层中。优选的是，所述栅极设置在所述基板上，所述源极和所述漏极设置在所述栅极的上方，所述栅极预形成层在对应着形成栅极的区域开设有栅极嵌入槽，所述栅极设置在所述栅极嵌入槽内；和/或，所述源漏预形成层在对应着形成所述源极的区域开设有源极嵌入槽、对应着形成所述漏极的区域开设有漏极嵌入槽，所述源极设置在所述源极嵌入槽中，所述漏极设置在所述漏极嵌入槽中。优选的是，所述源极和所述漏极设置在所述基板上，所述栅极设置在所述源极和所述漏极的上方，所述源漏预形成层在对应着形成所述源极的区域开设有源极嵌入槽、对应着形成所述漏极的区域开设有漏极嵌入槽，所述源极设置在所述源极嵌入槽中，所述漏极设置在所述漏极嵌入槽中；和/或，所述栅极预形成层在对应着形成所述栅极的区域开设有栅极嵌入槽，所述栅极设置在所述栅极嵌入槽内。优选的是，所述栅极预形成层与所述源漏预形成层均采用无机材料形成，所述无机材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。优选的是，所述栅极的厚度与所述栅极预形成层的厚度相同，所述源极和所述漏极的厚度与所述源漏预形成层的厚度相同。进一步优选的是，所述源极和所述漏极之间还设置有有源层，且所述有源层分别与所述源极和所述漏极在正投影方向上至少部分重叠，所述有源层采用非晶硅材料形成；或者，所述有源层采用氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟锡或氧化铟镓锡形成。一种阵列基板，包括栅线、数据线以及设置在由所述栅线与所述数据线交叉形成的像素区内的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管采用上述的薄膜晶体管。优选的是，所述栅极预形成层还延伸至所述像素区对应着所述薄膜晶体管以外的其他区域，所述栅线与所述栅极同层设置、且与所述栅极电连接；或者，所述源漏预形成层还延伸至所述像素区对应着所述薄膜晶体管以外的其他区域，所述数据线与所述源极同层设置、且与所述源极电连接。优选的是，所述栅极预形成层在对应着形成栅线的区域开设有栅线嵌入槽，所述栅线设置在所述栅线嵌入槽中；或者，所述源漏预形成层在对应着形成数据线的区域开设有数据线嵌入槽，所述数据线设置在所述数据线嵌入槽中。优选的是，所述栅极的厚度与所述栅极的厚度相等，所述数据线的厚度与所述源极的厚度相等。一种显示装置，包括上述的阵列基板。一种薄膜晶体管的制备方法，包括在基板上形成栅极、形成源极和漏极以及形成所述栅极与所述源极和所述漏极之间的栅绝缘层的步骤，还包括形成与所述栅极同层的栅极预形成层，将所述栅极形成在所述栅极预形成层中的步骤；和/或，还包括形成所述源极和所述漏极同层的源漏预形成层，将所述源极和所述漏极形成在所述源漏预形成层中的步骤。优选的是，在形成所述栅极之前，先形成包括栅极预形成层以及开设在所述栅极预形成层中的栅极嵌入槽的图形；然后，在所述栅极嵌入槽内形成包括所述栅极的图形；或者，在形成所述源极和所述漏极之前，先形成包括源漏预形成层以及开设在所述源漏预形成层中的源极嵌入槽和漏极嵌入槽的图形；然后，在所述源极嵌入槽内形成包括所述源极的图形，以及在所述漏极嵌入槽内形成包括所述漏极的图形。优选的是，采用构图工艺形成包括所述栅极预形成层以及所述栅极的图形，形成所述栅极预形成层以及形成所述栅极采用同一掩模板；或者，采用构图工艺形成包括所述栅极预形成层的图形，以及采用熔融灌注方式将所述栅极形成在所述栅极预形成层的所述栅极嵌入槽中；或者，采用构图工艺形成包括所述源漏预形成层以及所述源极和所述漏极的图形，形成所述源漏预形成层以及形成所述源极和所述漏极采用同一掩模板；或者，采用构图工艺形成包括所述源漏预形成层的图形，以及采用熔融灌注方式将所述源极和所述漏极形成在所述源漏预形成层的所述源极嵌入槽和所述漏极嵌入槽中。优选的是，所述栅极预形成层与所述源漏预形成层采用无机材料形成，所述无机材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。优选的是，所述栅极的厚度与所述栅极预形成层的厚度相同，所述源极和所述漏极的厚度与所述源漏预形成层的厚度相同。一种阵列基板的制备方法，包括形成栅线、数据线以及形成设置在由所述栅线与所述数据线交叉形成的像素区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括基板以及设置于所述基板上的栅极、同层设置的源极和漏极以及设置于所述栅极与所述源极和所述漏极之间的绝缘层，其特征在于，与所述栅极同层设置有栅极预形成层，所述栅极形成在所述栅极预形成层中；和/或，与所述源极和所述漏极同层设置有源漏预形成层，所述源极和所述漏极形成在所述源漏预形成层中。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括基板以及设置于所述基板上方的栅极、同层设置的源极和漏极以及设置于所述栅极与所述源极和所述漏极之间的绝缘层，其特征在于，所述薄膜晶体管包括有源层，所述源极和所述漏极设置在所述有源层上，与所述栅极同层设置有栅极预形成层，所述栅极形成在所述栅极预形成层中，与所述源极和所述漏极同层设置有源漏预形成层，所述源极和所述漏极形成在所述源漏预形成层中，所述源极和所述漏极的厚度与所述源漏预形成层的厚度相同，所述源漏预形成层位于所述有源层上。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极设置在所述基板上，所述源极和所述漏极设置在所述栅极的上方，所述栅极预形成层在对应着形成栅极的区域开设有栅极嵌入槽，所述栅极设置在所述栅极嵌入槽内，所述源漏预形成层在对应着形成所述源极的区域开设有源极嵌入槽、对应着形成所述漏极的区域开设有漏极嵌入槽，所述源极设置在所述源极嵌入槽中，所述漏极设置在所述漏极嵌入槽中。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极预形成层与所述源漏预形成层均采用无机材料形成，所述无机材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极的厚度与所述栅极预形成层的厚度相同。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层采用非晶硅材料形成；或者，所述有源层采用氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟锡或氧化铟镓锡形成。6.一种阵列基板，包括栅线、数据线以及设置在由所述栅线与所述数据线交叉形成的像素区内的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管采用权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极预形成层还延伸至所述像素区对应着所述薄膜晶体管以外的其他区域，所述栅线与所述栅极同层设置、且与所述栅极电连接，所述源漏预形成层还延伸至所述像素区对应着所述薄膜晶体管以外的其他区域，所述数据线与所述源极同层设置、且与所述源极电连接。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极预形成层在对应着形成栅线的区域开设有栅线嵌入槽，所述栅线设置在所述栅线嵌入槽中，所述源漏预形成层在对应着形成数据线的区域开设有数据线嵌入槽，所述数据线设置在所述数据线嵌入槽中。9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线的厚度与所述栅极的厚度相等，所述数据线的厚度与所述源极的厚度相等。10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6-9任一项所述的阵列基板。11.一种薄膜晶体管的制备方法，包括在基板上形成栅极、形成有源层、形成源极和漏极、形成所述栅极与所述源极和所述漏极之间的栅绝缘层的步骤，所述源极和漏极位于所述有源层上方，其特征在于，所述制备方法还包括形成与所述栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙宏达，成军，王美丽，孔祥永，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：