薄膜晶体管阵列基板及补偿电路制造技术

技术编号:9508333 阅读:76 留言:0更新日期:2013-12-26 22:55
本实用新型专利技术公开了一种薄膜晶体管阵列基板及补偿电路,薄膜晶体管阵列基板包括基板,形成于基板上的沟道;沟道为弯折结构,包括有第一结晶单元和第二结晶单元;第一结晶单元和第二结晶单元位于沟道相邻的弯折部件上,第一结晶单元包括第一结晶区和第二结晶区,第二结晶单元包括第三结晶区和第四结晶区;第一结晶区和第二结晶区中的晶粒界面均与第一结晶区和第二结晶区之间的界面垂直;第三结晶区和第四结晶区中的晶粒界面均与第三结晶区和第四结晶区之间的界面垂直。本实用新型专利技术可提高形成的沟道的电子迁移率,电性更加均匀。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列基板包括基板,形成于所述基板上的沟道;其中所述沟道为弯折结构,包括有第一结晶单元和第二结晶单元;所述第一结晶单元和所述第二结晶单元位于所述沟道相邻的弯折部件上,所述第一结晶单元包括第一结晶区和第二结晶区,所述第二结晶单元包括第三结晶区和第四结晶区;其中所述第一结晶区和所述第二结晶区中的晶粒界面均与所述第一结晶区和第二结晶区之间的界面垂直;所述第三结晶区和所述第四结晶区中的晶粒界面均与所述第三结晶区和第四结晶区之间的界面垂直。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:许宗义
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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