一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域。在不影响像素开口率的前提下，可以增大薄膜晶体管沟道的宽长比。该薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极，以及半导体有源层。其中源极覆盖半导体有源层的四周，漏极位于半导体有源层的中心区域，在源极和漏极之间设有绝缘层。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及显示装置，涉及显示
。在不影响像素开口率的前提下，可以增大薄膜晶体管沟道的宽长比。该薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极，以及半导体有源层。其中源极覆盖半导体有源层的四周，漏极位于半导体有源层的中心区域，在源极和漏极之间设有绝缘层。【专利说明】一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管-液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。在TFT-1XD中，作为开关元件的薄膜晶体管TFT的质量尤为重要，TFT的一般结构可以如图1所示，主要包括源极101、漏极102以及栅极103，其中，源极101与漏极102通常采用同层金属材料制成，源漏极区域与栅极金属层之间还具有半导体有源层11，位于栅极103区域上方的半导体有源层11形成TFT沟道10(图1中虚线所示)。现有技术中，制作该半导体有源层11的材料为非晶硅(A-Si)。这样一种结构的TFT的迁移率大约为0.5cm2/Vs0然而，随着显示器件尺寸逐渐变大，要求显示器件具有更高分辨率和高频驱动性能。因此，要求TFT具有高迁移率和高性能。为了提高半导体有源层的电子迁移率，通常采用电子迁移率是非晶硅层迁移率几十倍的半导体氧化物材料，如IGZO (Indium Gallium ZincOxide，铟镓锌氧化物)，作为TFT的半导体有源层。现有技术中，采用IGZO作为半导体有源层11的TFT结构一般可以采用如图2所示的孔对孔方式(Hole Type)，其中TFT的源极101与TFT的漏极102分别通过过孔21和过孔22与IGZO半导体有源层11电连接；或者如图3所示的柱状方式(Bar Typer)，其中TFT的源极101与TFT的漏极102覆盖IGZO半导体有源层11的两侧。然而上述两种结构中的TFT沟道10的宽长比(W:L)相对较小，因此TFT的源极和漏极在导通的时候需要的时间较长，这样一来会降低TFT沟道导通时的响应速度，从而降低显示装置的显示效果。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及显示装置，在不影响像素开口率的前提下，可以增大薄膜晶体管沟道的宽长比。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:本专利技术实施例的一方面提供一种薄膜晶体管，包括源极、漏极和栅极，以及半导体有源层；所述源极覆盖所述半导体有源层的四周，所述漏极位于所述半导体有源层的中心区域，在所述源极和漏极之间设有绝缘层。本专利技术实施例的另一方面提供一种阵列基板，包括:由栅线和数据线界定的呈矩阵形式排列的多个像素单元，所述像素单元包括像素电极，还包括如上所述的任意一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极与所述数据线电连接；所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极电连接。本专利技术实施例的另一方面提供一种显示装置，包括如上所述的任意一种阵列基板。本专利技术实施例的又一方面提供一种薄膜晶体管的制造方法，所述方法包括:在依次形成有栅极及栅极绝缘层的基板上制作半导体有源层；在形成有上述图案的基板表面制作金属层，并通过构图工艺形成源极；其中，所述源极覆盖所述半导体有源层的四周，并露出所述半导体有源层的中心区域；在形成有上述图案的基板表面制作绝缘层，并通过构图工艺在位于所述半导体有源层的中心区域形成所述绝缘层的过孔；在形成有上述图案的基板表面形成漏极，所述漏极覆盖所述过孔。本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及显示装置。该薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极，以及半导体有源层。其中源极覆盖半导体有源层的四周，漏极位于半导体有源层的中心区域，在源极和漏极之间设有绝缘层。这样一来，可以在不影响像素开口率的前提下，增大薄膜晶体管沟道的宽长比，从而提高薄膜晶体管沟道导通时的响应速度，提升显示装置的显示效果。【专利附图】【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术提供的一种TFT的结构示意图；图2为现有技术提供的一种阵列基板的结构不意图；图3为现有技术提供的另一种阵列基板的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种TFT的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种阵列基板俯视结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的另一种TFT结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板俯视结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的一种TFT的制造方法流程图；图9为本专利技术实施例提供的另一种TFT的制造方法流程图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管TFT，如图4所示，包括源极101、漏极102和栅极103，以及半导体有源层11 ；源极101覆盖半导体有源层11的四周，漏极102位于半导体有源层11的中心区域G (如图中虚线框所示)，在源极101和漏极102之间设有绝缘层12。需要说明的是，半导体有源层11的中心区域G可以是指半导体有源层11未被源极101覆盖的部分。本专利技术实施例提供的薄膜晶体管，该TFT包括源极、漏极和栅极，以及半导体有源层。其中源极覆盖半导体有源层的四周，漏极位于半导体有源层的中心区域，在源极和漏极之间设有绝缘层。这样一来，可以在不影响像素开口率的前提下，增大TFT沟道的宽长比，从而提高TFT沟道导通时的响应速度，提升显示装置的显示效果。进一步地，绝缘层12覆盖在源极101和半导体有源层11的上方，并在半导体有源层11的中心区域G上方形成有过孔14 ;漏极102通过位于半导体有源层11中心区域G的过孔14与半导体有源层11电连接。这样一种结构的TFT的沟道如图5所示，为环形沟道，该沟道的宽度等于过孔14的截面的周长，而沟道的长度如图4所示，为过孔14的外径到半导体有源层11中心区域G周边的距离L。这样一种结构的TFT，由于其宽度为半导体有源层11的周长，所以该TFT的宽长比相对较大，从而会减小TFT的源极101和漏极102在导通时候需要的时间，从而提高TFT沟道导通时的响应速度。此外，还可以在不影响像素开口率的前提下，通过制作工艺增加过孔14的外径，或者减小半导体有源层11的中心区域G的面积，使得TFT沟道的长度L减小，或者可以在不影响像素开口率的前提下增加过孔14的截面周长从而使TFT沟道的宽度增大，进而可以提高TFT沟道导通时的响应速度。进一步地，该半导体有源层11可以采用氧化物半导体材料制成。例如:氧化锌(ZnO)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括源极、漏极和栅极，以及半导体有源层；所述源极覆盖所述半导体有源层的四周，所述漏极位于所述半导体有源层的中心区域，在所述源极和漏极之间设有绝缘层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾勉，尹傛俊，涂志中，金在光，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：