【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，所述存储器包含至少一个全局控制电路和追踪驱动电路，若干存储单元、追踪单元、追踪控制电路以及相应的若干条内嵌于存储单元阵列的不同追踪路径。本专利技术的存储器，在存储阵列的不同位置采用至少三条追踪路径，能够更加全面地反映出存储器操作的时序；另外，在进行字线、位线追踪之前增加预解码追踪路径，提升了时序追踪的精确度。【专利说明】
本专利技术涉及存储器领域，具体涉及，使得追踪结果更为准确、可靠。
技术介绍
在当今集成电路应用领域，对在一块小的芯片上实现多的功能提出了更高的要求，于是片上系统(System on Chip,SoC)越来越受到人们的重视。随着集成电路设计水平和工艺技术的提高，包含多个功能模块的SoC已经能够实现相当复杂的功能。根据ITRS的报告，在这些SoC中存储器占据了很大比例，并且其增长趋势还在不断扩大。各种类型的存储器如SRAM，DRAM以及Flash都能被集成到SoC中，但目前主流的嵌入式存储器还应该是SRAM,因为它能通过标准的CMOS工艺很容易地嵌入到SoC中。在特征尺寸不断缩小的同时，由于随机参杂的波动、阱临近...
【技术保护点】
一种存储器，其特征在于，所述存储器包含至少一个全局控制电路和追踪驱动电路，若干存储单元、追踪单元、追踪控制电路以及相应的若干条内嵌于存储单元阵列的不同追踪路径。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李力南，翁宇飞，
申请(专利权)人：苏州宽温电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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