字线驱动电路及存储器电路制造技术

技术编号:9171831 阅读:195 留言:0更新日期:2013-09-19 20:51
一种字线驱动电路和存储器电路,所述字线驱动电路包括:第一PMOS晶体管和第二NMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管的源极与第一信号端相连接,所述第一NMOS晶体管的源极与第二信号端相连接,所述第一PMOS晶体管的漏极与第一NMOS晶体管的漏极相连接,且与字线相连;所述第一PMOS晶体管的栅极与第一控制信号端相连接,所述第一NMOS晶体管的栅极与第二控制信号端相连接,其中,所述第一NMOS晶体管的沟道区宽度小于所述第一PMOS晶体管的沟道区宽度。利用所述字线驱动电路和存储器电路可以降低字线驱动电路和存储器电路的芯片面积,且可以降低了所述存储器电路的功耗。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种字线驱动电路,其特征在于,包括:第一PMOS晶体管和第二NMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管的源极与第一信号端相连接,所述第一NMOS晶体管的源极与第二信号端相连接,所述第一PMOS晶体管的漏极与第一NMOS晶体管的漏极相连接,且与字线相连;所述第一PMOS晶体管的栅极与第一控制信号端相连接,所述第一NMOS晶体管的栅极与第二控制信号端相连接,其中,所述第一NMOS晶体管的沟道区宽度小于所述第一PMOS晶体管的沟道区宽度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:權彞振杨家奇许家铭郑晓
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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