半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括由适合于产生压电极化的半导体形成的缓冲层以及堆叠在缓冲层上的沟道层，其中由缓冲层的压电极化产生在沟道层中的二维空穴气用作沟道层的载流子。在互补半导体装置上，上述半导体装置和n型场效晶体管形成在相同的化合物半导体基板上。而且，采用半导体装置制造电平移位电路。此外，半导体装置的制造方法包括：形成化合物半导体基底部分；在基底部分上形成缓冲层；在缓冲层上形成沟道层；在沟道层上形成栅极；以及在沟道层上形成漏极和源极，该源极和漏极之间具有栅极。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：缓冲层，由适合于产生压电极化的半导体形成；以及沟道层，堆叠在该缓冲层上，其中通过该缓冲层的压电极化而产生在该沟道层中的二维空穴气用作该沟道层的载流子。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：光永将宏，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：