外延结构量子阱应力释放层的生长方法及其外延结构技术

本发明专利技术提供了外延结构量子阱应力释放层的生长方法及其外延结构，包括总厚度为160nm的量子阱应力释放层，所述量子阱应力释放层为掺In和Al的HT?MQW层，包括40nm厚度的GaN层和2nm厚度的AlyInxGa（1-x-y）N层，其中x=0.05-0.08，y=0.02-0.05。本发明专利技术生长方法通过修改HT?MQW的能带图，实现对进入发光区电子的阻挡作用，减少电子进入p层与空穴发生非辐射复合的几率；并且，在HT?MQW被阻挡的电子经过二维扩散，更均匀的注入发光区，提高电子与空穴的复合效率，提升亮度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种外延结构量子阱应力释放层的生长方法，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长不掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长有缘层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、生长InGaN层步骤，其特征在于，在生长掺Si的GaN层步骤与生长有缘层MQW步骤之间，包括生长量子阱应力释放层步骤A：在蓝宝石衬底上生长的n层GaN与发光层MQW之间插入高温量子阱层（HTMQW）作为应力释放层，高温量子阱为2～5个周期的GaN和AlyInxGa（1?x?y）N异质结构层，其中GaN的厚度在20～60nm，AlyInxGa（1?x?y）N的厚度在1～5nm，x=0.05?0.08，y=0.02?0....

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：农明涛，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：