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本发明提供了外延结构量子阱应力释放层的生长方法及其外延结构，包括总厚度为160nm的量子阱应力释放层，所述量子阱应力释放层为掺In和Al的HT?MQW层，包括40nm厚度的GaN层和2nm厚度的AlyInxGa（1-x-y）N层，其中x=0...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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