【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第二半导体类型衬底；在该衬底上生成第一半导体类型外延层；生成位于所述外延层中的第二半导体类型阱；生成位于所述阱中的第一半导体类型掺杂区；生成发射极通孔，并采用孔注入的方法通过所述发射极通孔生成第二半导体类型掺杂区和发射极金属电极，其中，该第二半导体类型掺杂区位于所述阱中，该第二半导体类型掺杂区和所述第一半导体类型掺杂区连接形成PN结，该第二半导体类型掺杂区的掺杂深度比该第一半导体类型掺杂区的掺杂深度深，且所述发射极金属电极的一端位于该第一半导体类型掺杂区中，所述第二半导体类型掺杂区与该发射极金属电极连接，该第二半导体类型掺杂区位于该发射极金属电极的下方，且所述第一半导体类型掺杂区和所述第二半导体类型掺杂区的掺杂浓度比所述阱的掺杂浓度高。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴健，高东岳，
申请(专利权)人：上海北车永电电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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