半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体装置，其包括第一绝缘层及第二绝缘层依序设置于基底上。第一导线层及第二导线层设置于第一绝缘层内且分别具有第一端及第二端，其中第一导线层及第二导线层的第二端互相耦接。第一绕线部及第二绕线部设置于第二绝缘层内且分别包括由内向外排列的第三导线层及第四导线层，第三导线层及第四导线层分别具有第一端及第二端。第一对连接层将第三导线层的第一端交错连接于第一导线层及第二导线层的第一端。第二对连接层交错连接第三导线层及第四导线层的第二端。其中第一导线层及第二导线层与第三导线层至少部分重叠。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：第一绝缘层及第二绝缘层，依序设置于一基底上，其中该基底具有一中心区域；第一导线层及第二导线层，设置于该第一绝缘层内并围绕该中心区域，且分别具有第一端及第二端，其中该第一导线层及该第二导线层的该多个第二端互相耦接：第一绕线部及第二绕线部，设置于该第二绝缘层内并围绕该中心区域，且分别包括由内向外排列的一第三导线层及一第四导线层，该多个第三导线层及该多个第四导线层分别具有第一端及第二端；以及耦接部，设置于该第一绕线部及该第二绕线部之间的该第一绝缘层及该第二绝缘层内，包括：第一对连接层，将该多个第三导线层的该多个第一端交错连接于该第一导线层及该第二导线层的该多个第一端；以及第二对...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李胜源，
申请(专利权)人：威盛电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：