半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置及其制造方法，本说明书所公开的半导体装置具有：第一导电型的漂移层，其被形成于半导体基板上；第二导电型的体层，其位于漂移层的表面侧，并被形成于半导体基板的表面上。漂移层具有寿命控制区，在寿命控制区中，在将于半导体基板的深度方向上发生变化的漂移层的晶体缺陷密度的极大值设为h时，晶体缺陷密度为h／2以上。寿命控制区通过向第一导电型的前漂移层照射带电粒子而形成，其中，所述第一导电型的前漂移层包括第一电阻层、和与第一电阻层相比电阻率较低的第二电阻层，寿命控制区的至少一部分被形成于第二电阻层的范围内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：添野明高，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：
国别省市：