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本发明提供一种半导体装置及其制造方法，本说明书所公开的半导体装置具有：第一导电型的漂移层，其被形成于半导体基板上；第二导电型的体层，其位于漂移层的表面侧，并被形成于半导体基板的表面上。漂移层具有寿命控制区，在寿命控制区中，在将于半导体基板的...
该专利属于丰田自动车株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田自动车株式会社授权不得商用。

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