【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底表面形成至少两个平行排列的栅极，每个所述栅极包括多段，相邻两栅极之间具有多段沟槽，至少一段沟槽的深宽比大于等于1；在所述栅极周围形成侧墙；在所述侧墙两侧的衬底内形成源极和漏极；形成所述源极和漏极之后，在所述衬底表面和栅极表面形成层间介质层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李乐，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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