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本发明提供一种半导体器件的形成方法和半导体器件，其中半导体器件的形成方法包括提供衬底，在所述衬底表面形成至少两个平行排列的栅极，每个所述栅极包括多段，相邻两栅极之间具有多段沟槽，至少一段沟槽的深宽比大于等于1；在所述栅极周围形成侧墙；在所述...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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