【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种阵列基板栅极驱动电路，其特征在于，所述电路包括：对阵列基板栅极驱动电路的关键TFT受到温度影响导致充电电流不稳定进行补偿的温度补偿单元；所述温度补偿单元设置在所述阵列基板栅极驱动电路关键TFT周围；所述温度补偿单元包括电容和PN结。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴昊，陈雅娟，陈小川，崔子巍，杨康，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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