发光二极管元件制造技术

技术编号:9296806 阅读:106 留言:0更新日期:2013-10-31 01:03
本发明专利技术提供一种发光二极管元件,包括一磊晶基板、至少一钝化结构、至少一空穴、一半导体层、一第一型掺杂半导体层、一发光层以及一第二型掺杂半导体层。钝化结构配置于磊晶基板上且具有一外表面。空穴位于钝化结构上,且至少覆盖50%的钝化结构的外表面。半导体层配置于磊晶基板上,且将钝化结构与空穴包覆于其内。第一型掺杂半导体层配置于半导体层上。发光层配置于第一型掺杂半导体层上。第二型掺杂半导体层配置于发光层上。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种发光二极管元件,其特征在于,包括:一磊晶基板;至少一钝化结构,配置于该磊晶基板上,且具有一外表面;至少一空穴,位于该钝化结构上,且至少覆盖50%的该钝化结构的该外表面;一半导体层,配置于该磊晶基板上,且将该钝化结构与该空穴包覆于其内;一第一型掺杂半导体层,配置于该半导体层上;一发光层,配置于该第一型掺杂半导体层上;以及一第二型掺杂半导体层,配置于该发光层上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:赖彦霖王信介李玉柱吴俊德林京亮廖冠咏
申请(专利权)人:新世纪光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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