一种发光二极管元件被提供，该发光二极管元件包含：晶元载体，该晶元载体具有一个晶元置放表面和数个彼此电气隔离的电气连接区；设置在该晶元载体的晶元置放表面上的发光二极管晶元，该发光二极管晶元具有半导体衬底、设置在该半导体衬底上的第一型半导体层、设置在该第一型半导体层上的第二型半导体层、设置在该第二型半导体层上的第一型半导体层、至少三个分别自该半导体衬底贯穿到对应的半导体层的贯孔、形成在每个贯孔的内壁面的绝缘层、及形成在每个贯孔内的导电连接体，每个导电连接体的一端与对应的半导体层电气连接而另一端凸伸在对应的贯孔外部使得可与该晶元载体的对应的电气连接区电气连接；及形成于该晶元载体的晶元置放表面上使得可覆盖该发光二极管晶元的透光保护层。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种发光二极管元件被提供，该发光二极管元件包含：晶元载体，该晶元载体具有一个晶元置放表面和数个彼此电气隔离的电气连接区；设置在该晶元载体的晶元置放表面上的发光二极管晶元，该发光二极管晶元具有半导体衬底、设置在该半导体衬底上的第一型半导体层、设置在该第一型半导体层上的第二型半导体层、设置在该第二型半导体层上的第一型半导体层、至少三个分别自该半导体衬底贯穿到对应的半导体层的贯孔、形成在每个贯孔的内壁面的绝缘层、及形成在每个贯孔内的导电连接体，每个导电连接体的一端与对应的半导体层电气连接而另一端凸伸在对应的贯孔外部使得可与该晶元载体的对应的电气连接区电气连接；及形成于该晶元载体的晶元置放表面上使得可覆盖该发光二极管晶元的透光保护层。【专利说明】发光二极管元件
本专利技术涉及一种发光二极管元件。
技术介绍
本专利技术提供一种与目前的发光二极管元件结构完全不相同的发光二极管元件。
技术实现思路
根据本专利技术的特征，一种发光二极管元件被提供，该发光二极管元件包含:晶元载体，该晶元载体具有一个晶元置放表面和数个彼此电气隔离的电气连接区；设置在该晶元载体的晶元置放表面上的发光二极管晶元，该发光二极管晶元具有半导体衬底、设置在该半导体衬底上且具有导电岛的第一型半导体层、一个设置在该第一型半导体上且具有导电岛的第二型半导体层、和一个设置在该第二型半导体层上且具有导电岛的第一型半导体层，该等半导体层的导电岛是经由导线电气连接到该晶元载体的对应的电气连接区；及形成在该晶元载体的晶元置放表面上使得可覆盖该发光二极管晶元以及所述多条导线的透光保护层。根据本专利技术的另一特征，一种发光二极管元件被提供，该发光二极管元件包含:晶元载体，该晶元载体具有一个晶元置放表面和数个彼此电气隔离的电气连接区；设置在该晶元载体的晶元置放表面上的发光二极管晶元，该发光二极管晶元具有半导体衬底、设置在该半导体衬底上的第一型半导体层、设置在该第一型半导体层上的第二型半导体层、设置在该第二型半导体层上的第一型半导体层、至少三个分别自该半导体衬底贯穿到对应的半导体层的贯孔、形成在每个贯孔之内壁面的绝缘层、及形成在每个贯孔内的导电连接体，每个导电连接体的一端与对应的半导体层电气连接而另一端凸伸在对应的贯孔外部使得可与该晶元载体的对应的电气连接区电气连接；及形成于该晶元载体的晶元置放表面上使得可覆盖该发光二极管晶元的透光保护层。根据本专利技术的再一特征，一种发光二极管元件被提供，该发光二极管元件包含:晶元载体，该晶元载体具有一个晶元置放表面和数个彼此电气隔离的电气连接区；设置在该晶元载体的晶元置放表面上的发光二极管晶元，该发光二极管晶元具有半导体衬底、设置在该半导体衬底上且具有导电岛的第一型半导体层、在不遮蔽该第一型半导体层的导电岛之下设置在该第一型半导体层上且具有一导电岛的第二型半导体层、及在不遮蔽该第二型半导体层的导电岛之下设置在该第二型半导体层上且具有导电岛的第一型半导体层；形成在该等半导体层上的反射层，该反射层形成有数个暴露对应的导电岛的贯孔；形成在该反射层上的绝缘层，该绝缘层具有与对应的贯孔对准的通孔；数个导电连接体，每个导电连接体经由对应的贯孔和与该对应的贯孔对准的通孔来从对应的导电岛延伸到该绝缘层外部使得可与该晶元载体的对应的电气连接区电气连接；及形成于该晶元载体的晶元置放表面上使得可覆盖该发光二极管晶元的透光保护层。根据本专利技术的又再一特征，一种发光二极管元件被提供，该发光二极管元件包含:晶兀载体，该晶兀载体具有第一表面、与该第一表面相对的第二表面、数个连通该第一与第二表面的贯穿孔、及数个形成于该晶元载体的第二表面上且各位在对应的贯穿孔四周的固定座；发光二极管晶元，该发光二极管晶元具有半导体衬底、设置在该半导体衬底上且在预定的位置具有导电岛的第一型半导体层、及在不遮蔽该第一型半导体层的导电岛之下设置在该第一型半导体层上且在预定的位置具有一导电岛的第二型半导体层；形成在所述多个半导体层的表面上的反射层，该反射层形成有数个暴露对应的导电岛的贯孔；形成在该反射层上且形成有与对应的贯孔对准的通孔的具粘着特性的绝缘层；数个导电连接体，每个导电连接体从对应的导电岛经由对应的贯孔、对应的通孔、和对应的贯穿孔延伸到对应的固定座；及形成在该晶元载体的第一表面上使得可覆盖该发光二极管晶元的透光保护层。【专利附图】【附图说明】图1为用于描绘本专利技术的第一优选实施例的发光二极管元件的示意部份剖视图；图2为晶体管的偏压曲线图；图3为本专利技术的发光二极管元件与公知发光二极管元件的偏压曲线比较图；图4为用于描绘本专利技术的第二优选实施例的发光二极管元件的示意部份剖视图；图5为用于描绘本专利技术的第三优选实施例的发光二极管元件的示意部份剖视图；图6为用于描绘本专利技术的第四优选实施例的发光二极管元件的示意部份剖视图；及图7为用于描绘本专利技术的第五优选实施例的发光二极管元件的示意部份剖视图。【具体实施方式】在后面的本专利技术的优选实施例的详细说明中，相同或类似的元件是由相同的标号标示，而且它们的详细描述将会被省略。此外，为了清楚揭示本专利技术的特征，在图式中之元件并非按实际比例描绘。图1为本专利技术的第一优选实施例的发光二极管元件的示意剖视图。请配合参阅图1所示，首先，本专利技术的发光二极管元件包括一个晶元载体I和一个发光二极管(LED)晶元2。该晶元载体I具有一个晶元置放表面10和数个彼此电气隔离的电气连接区(在本实施例中具有三个电气连接区)10a，10b,和10c。该LED晶元2设置在该晶元载体I的晶元置放表面10上而且具有一个半导体衬底20、一个设置在该半导体衬底20上的第一型半导体层21、一个设置在该第一型半导层21上的第二型半导体层22、和一个设置在该第二型半导层22上的第一型半导体层23。应注意的是，在所述多个半导体层21，22，23之间实际上是有诸如绝缘层般的其他功能层，然而，由于所述多个功能层是属公知且并非本申请的重点，因此，为了简洁起见，在附图中所述多个功能层被省略。该半导体衬底20可以为透明衬底或非透明衬底，其主要依照发光二极管兀件的出光方向或者反射层的设计而考虑，若要同时引导出向上/向下的双向出光，则半导体衬底20必须为透明衬底。在本实施例中，所述第一型半导体层21，23为η型半导体层而所述第二型半导体层22为P型半导体层。当然，所述第一型半导体层21，23也可以为P型半导体层而所述第二型半导体层22为η型半导体层。在每个半导体层21，22，23上设置有导电岛210，220, 230。每个导电岛210，220, 230经由导线3电气连接到该晶元载体I的对应的电气连接区10a, 10b, 10c。一个覆盖该LED晶元2以及所述多条导线3的透光保护层4形成在该晶元载体I的晶元置放表面10上。该透光保护层4可以是完全透明或者是掺杂有荧光粉材料。请配合参阅图2所示，通过如上的构造，本专利技术的发光二极管元件具有晶体管IxV曲线放大特性，可将小信号源放大电流输出形成功率晶体管放大功率管功能。此外，由NPN或PNP LED晶片崩溃电流在C、B极上PN或NP层含有空泛区供电子与空穴结合产生光子，经B极信号输入，在C极上与负载阻抗大小控制崩溃电流大小及信号功率放大相对控制LED晶片的亮度，相对B本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光二极管元件，包含：晶元载体，所述晶元载体具有一个晶元置放表面和数个彼此电气隔离的电气连接区；设置在所述晶元载体的晶元置放表面上的发光二极管晶元，所述发光二极管晶元具有半导体衬底、设置在所述半导体衬底上且具有导电岛的第一型半导体层、一个设置在所述第一型半导体上且具有导电岛的第二型半导体层、和一个设置在所述第二型半导体层上且具有导电岛的第一型半导体层，所述多个半导体层的导电岛经由导线来电气连接到所述晶元载体的对应的电气连接区；及形成在所述晶元载体的晶元置放表面上使得可覆盖所述发光二极管晶元以及所述多条导线的透光保护层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李学旻，
申请(专利权)人：李学旻，
类型：发明
国别省市：
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