【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种发光二极管装置，包含至少一堆栈发光二极管单元，该堆栈发光二极管单元包含：多个磊晶结构，其中，每一磊晶结构包含n侧氮化物半导体层、主动层与p侧氮化物半导体层；和至少一穿隧接面，每一穿隧接面位于相邻该磊晶结构之间，用来堆栈多个该磊晶结构以形成该堆栈发光二极管单元；其中当电流密度大于一预设电流密度值时，该磊晶结构的量子效率会下降(droop)，且小于该预设电流密度值时，该磊晶结构具有一量子效率峰值；且对于某一给定的预设输入功率，该堆栈的多个磊晶结构的总电压大于每一该磊晶结构的操作电压，使得该堆栈发光二极管单元的操作电流密度降低而趋近该量子效率峰值。
【技术特征摘要】
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