【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种发光二极管，其特征在于，包括：至少两个LED半导体结构，所述至少两个LED半导体结构设置于同一平面；每一LED半导体结构包括一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极，所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接；每一LED半导体结构中的活性层、第二半导体层及第二电极与相邻的LED半导体结构中的活性层、第二半导体层及第二电极相互间隔设置，且每一LED半导体结构中的活性层、第二半导体层及第二电极与相邻的LED半导体结构中的活性层、第二半导体层及第二电极的间距为1微米到1毫米。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：金元浩，李群庆，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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