【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种金属氧化物半导体电学参数测试器件，所述半导体器件的栅极为金属栅极，其特征在于，N型衬底的第一P型阱区域与第一N+区域形成的第一PN结构成第一个二极管，所述N型衬底的第二P型阱区域与第二N+区域形成的第二PN结构成第二个二极管，所述第一个二极管与所述第二个二极管反向并联，并与所述栅极相连形成N型金属氧化物半导体电学参数测试器件；或，N型衬底与第一P+区域形成的第三PN结构成第三个二极管，所述N型衬底与第二P+区域形成的第四PN结构成第四个二极管，所述第三个二极管与所述第四个二极管反向并联，并与所述栅极相连形成P型金属氧化物半导体电学参数测试器件。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谭灿健，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。