公开了设计用于诸如中介片的衬底的电容器及其制造方法。在一个实施例中，在通孔和底层金属层之间形成电容器。例如，电容器可以是形成在衬底上或衬底上方形成的介电层上的平面电容器。
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种形成器件的方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底的表面上方形成电容器；以及在所述电容器上方形成一个或多个金属层，所述电容器位于最下方的金属层的下方。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：张俊华，郑心圃，叶德强，侯上勇，邱文智，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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