易失性存储装置及其操作方法和控制存储系统的方法制造方法及图纸

存储装置可以包括：存储单元阵列，其包括多个行的易失性存储单元，所述多个行包括弱单元行和正常单元行；命令解码器，其被配置为从存储装置外部的源接收命令；地址表，其存储用于识别对应的弱单元行的多个弱单元行地址；刷新控制电路，其被配置为控制存储单元阵列的操作，以周期性地刷新易失性存储单元的多个行，其中，所述刷新控制电路被配置为被配置为响应于命令解码器接收用于写入到弱单元行的写入命令而引起弱单元行的刷新操作，其中由在地址表中存储的弱单元行地址识别该弱单元行。

【技术实现步骤摘要】
易失性存储装置及其操作方法和控制存储系统的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2012年4月24日在韩国知识产权局（KIPO）申请的韩国专利申请No.2012-0042411的优先权，通过引用，将其内容全部合并于此。
示例性实施例涉及到易失性存储装置，更具体地说，涉及操作易失性存储装置的方法、易失性存储装置、和控制存储系统的方法。
技术介绍
最近，随着易失性存储器（例如，DRAM）的操作速度的增加，在数据被充分地存储在存储单元阵列中之前，字线可以响应于预充电命令而被停用(deactivate)。此外，随着DRAM的制造工艺变得更精细，在写入路径中增加的电阻可能会使得存储单元阵列中的数据的写入变得复杂。
技术实现思路
一些示例性实施例提供了一种能够提高写入性能的操作易失性存储装置的方法。一些示例性实施例提供了一种能够提高写入性能的易失性存储装置。一些示例性实施例提供了一种能够提高写入性能的控制存储系统的方法。操作具有存储单元的阵列的存储装置的方法可以包括：将数据写入到具有第一地址的存储单元的阵列的第一存储单元中；确定第一地址是否是一组预定地址中的一个；以及响应于所述确定，调整刷新序列（sequence），以包括如下刷新操作，从而包括用于具有第一地址的第一存储单元的第一刷新操作。调整步骤可以包括：确定用于将在第一时间段内被刷新的一组存储单元组的刷新操作的序列是否包括第一存储单元;以及当确定存储单元组的组不包括第一存储单元时，修改刷新操作的序列，以包括用于第一存储单元的刷新操作。第一存储单元可以是存储单元阵列的第一行的存储单元，并且调整步骤可包括：确定用于将在第一时间段内被刷新的第k到第（k+i）存储单元行的刷新操作的序列是否包括第一行；以及当确定第一行没有被包含在第k到第（k+i）存储单元行中时，修改刷新操作的序列，以包括用于第一行的刷新操作，其中，k和i是整数。第k到第（k+i）存储单元行可以具有连续的行地址。所述方法还可以包括内部产生刷新地址的序列，并且修改刷新操作的序列可以包括将第一地址插入到刷新地址的序列中。所述方法还可以包括通过刷新地址的序列的地址而识别的存储单元的每隔第三时间段来执行刷新操作。修改刷新地址的序列可以包括将第一地址插入到刷新地址的序列，使得在第三时间段内执行至少两个刷新操作。调整步骤可以包括调整刷新序列，以在第一时间段内包括用于具有第一地址的第一存储单元的第一刷新操作，并且所述方法还可以包括利用比第一时间段大的刷新周期来周期性地刷新阵列的至少大部分的存储单元。周期性刷新的步骤可以包括，在第一刷新操作之后，利用比第一时间段大的刷新周期来刷新具有第一地址的第一存储单元。调整步骤可以包括调整刷新序列，以在第一时间内包括用于具有第一地址的第一存储单元的刷新操作，并且所述方法包括从执行第一刷新操作的第二时间之后，执行用于具有第一地址的第一存储单元的第二刷新操作。第一时间可以小于第二时间，并且在第一刷新操作和第二刷新操作之间可以不执行用于第一存储单元的刷新操作。用于操作具有存储单元阵列的存储装置的方法可以包括：将数据写入到具有第一地址的存储单元阵列的第一存储单元中;确定第一地址是否是一组预定地址中的一个;确定在将数据写入到第一存储单元之后的预定时间内是否已经发生了第一存储单元的刷新操作；以及响应于确定在预定时间内没有发生刷新操作，来调度第一存储单元的刷新操作。调度的步骤可以包括当通过存储装置执行下一个刷新操作时，调度在第一存储单元上的刷新操作。调度的步骤可以保证刷新序列包括在从写入开始的预定时间内用于具有第一地址的第一存储单元的刷新操作，预定时间小于第二时间段；并且所述方法可以进一步包括利用大于或者等于第二时间段的刷新周期来刷新阵列的至少大部分存储单元。操作具有存储单元的阵列的存储装置的方法可以包括：确定第一地址是否是一组预定地址中的一个；响应于确定步骤，利用第一时间窗口将数据写入具有第一地址的存储单元阵列的第一存储单元;以及利用第二时间来将数据写入到存储单元阵列的第二存储单元，其中，第二写入恢复时间小于第一写入恢复时间。第一和第二时间窗口可能分别依赖于第一和第二写入恢复时间。所述方法可以进一步包括：从存储装置接收预定地址的组。预定地址的组可以在存储装置的上电序列期间，通过存储控制器来接收。操作存储装置的方法可以包括：将写入地址与弱行地址的表进行比较，弱行地址识别具有至少一个弱单元（weakcell）的存储装置的行;响应于该比较来修改刷新序列；其中，弱行地址的数目是存储装置中的行地址数目的至少10％。存储装置可以包括：存储单元阵列，其包括易失性存储单元的多个行，多个行包括弱单元行和正常单元行;命令解码器，其被配置为从存储装置外部的源来接收命令；地址表，其存储识别相应弱单元行的多个弱单元行地址;刷新控制电路，其被配置来控制存储单元阵列的操作，以周期性刷新易失性存储单元的多个行，其中，所述刷新控制电路被配置为响应于命令解码器接收用于写入到弱单元行的写入命令而引起弱单元行的刷新操作，其中由在地址表中存储的弱单元行地址识别该弱单元行。刷新控制电路可以被配置为在接收到用于对弱单元行写入的写入命令后的第一时间段期间，监视刷新操作的序列。刷新控制电路可以被配置为在确定在第一时间段内没有刷新弱单元行后，添加刷新操作到刷新操作的序列。刷新控制电路可以被配置为利用第二时间段的刷新周期来刷新正常单元行，其中，第二时间段大于第一时间段。刷新控制电路可以被配置为利用弱单元行的刷新操作来更换第一行的调度的刷新操作。刷新控制电路可以被配置为使得在弱单元行的刷新操作之后立即开始第一行的刷新操作。刷新控制电路可以被配置为使得在第一行的刷新操作的同时，发生弱单元行的刷新操作。刷新控制电路可以被配置为对刷新调度进行分析，以确定刷新调度是否在预定的时间之内包括弱单元行的刷新操作。存储装置可以包括：存储单元阵列，其包括易失性存储单元的多个行，多个行包括弱单元行和正常单元行;命令解码器，其被配置为从存储装置外部的源来接收命令；以及行解码器，其被配置为利用第一时间窗口来对弱单元行执行第一写入操作，以及利用第二时间窗口来对正常单元行执行第二写入操作，所述第二时间窗口小于第一时间窗口。第一时间窗和第二时间窗口可以分别对应于第一写入恢复时间和第二恢复时间。命令解码器可以被配置为接收用于指示利用第一时间窗口的第一写入操作的第一写入命令，以及接收用于指示第二写入操作的第二写入命令。第一写入命令和第二写入命令可以包括不同的命令代码。命令解码器可以被配置为接收有第一和第二写入命令的每个，识别将被写入的行的各自的地址，并且各自的代码，用于识别在写入到所识别的行中将被用到的写入时间。存储单元阵列可以进一步包括地址表，其存储识别相应弱单元行的多个弱单元行地址。存储装置可以被配置为将弱单元行地址传输到存储控制器。命令解码器可以被配置为接收有第一和第二写入命令中的每个，识别要被写入的行的各自的地址，其中，存储装置还包括控制电路，其被配置为响应于确定利用第一写入命令而接收的地址对应于在地址表中存储的弱单元行地址，来选择第一时间窗口。控制电路可以被配置为响应于确定利用第二写入命令而接收的地址不对应于在地址表中存储的任何弱单元行地址，来选择第二时间窗口。存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储装置，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个行的易失性存储单元，所述多个行包括弱单元行和正常单元行；命令解码器，所述命令解码器被配置为接收命令；地址表，所述地址表存储用于识别对应的弱单元行的多个弱单元行地址；刷新控制电路，所述刷新控制电路被配置为控制存储单元阵列的操作，以周期性地刷新易失性存储单元的多个行，其中，所述刷新控制电路被配置为响应于命令解码器接收用于写入到弱单元行的写入命令而引起弱单元行的刷新操作，其中由在地址表中存储的弱单元行地址识别该弱单元行。

【技术特征摘要】
2012.04.24 KR 10-2012-0042411;2012.12.19 US 13/721.一种存储装置，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个行的易失性存储单元，所述多个行包括弱单元行和正常单元行；命令解码器，所述命令解码器被配置为接收命令；地址表，所述地址表存储用于识别对应的弱单元行的多个弱单元行地址；刷新控制电路，所述刷新控制电路被配置为控制存储单元阵列的操作，以周期性地刷新易失性存储单元的多个行，其中，所述刷新控制电路被配置为：当由在地址表中存储的弱单元行地址识别第一弱单元行时，响应于命令解码器接收用于写入到第一弱单元行的写入命令而引起弱单元行的刷新操作，其中弱单元行包括弱单元和正常单元两者，并且每个弱单元的写入性能比正常单元的写入性能差。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述刷新控制电路被配置为在接收到用于写入到弱单元行的写入命令后的第一时间段期间，监视刷新操作的序列。3.根据权利要求2所述的存储装置，其中，所述刷新控制电路被配置为在确定在第一时间段内没有刷新弱单元行后，添加刷新操作到刷新操作的序列。4.根据权利要求3所述的存储装置，其中，所述刷新控制电路被配置为利用第二时间段的刷新周期来刷新正常单元行，所述第二时间段大于所述第一时间段。5.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述刷新控制电路被配置为利用弱单元行的刷新操作来更换第一行的调度的刷新操作。6.根据权利要求5所述的存储装置，其中，所述刷新控制电路被配置为使得在弱单元行的刷新操作之后立即开始第一行的刷新操作。7.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述刷新控制电路被配置为使得在第一行的刷新操作的同时，发生弱单元行的刷新操作。8.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述刷新控制电路被配置为对刷新调度进行分析，以确定刷新调度是否在预定的时间之内包括弱单元行的刷新操作。9.一种存储装置，包括：存储单元阵列，包括多个行的易失性存储单元，所述多个行包括弱单元行和正常单元行；命令解码器，被配置为接收用于指示利用第一时间窗口的第一写入操作的第一写入命令，以及接收用于指示利用第二时间窗口的第二写入操作的第二写入命令，第一写入命令和第二写入命令包括不同的命令代码，从存储装置外部的源接收第一写入命令和第二写入命令；以及行解码器，被配置为利用第一时间窗口来对弱单元行执行第一写入操作，以及利用第二时间窗口来对正常单元行执行第二写入操作，所述第二时间窗口小于所述第一时间窗口，其中弱单元行包括弱单元和正常单元两者，并且每个弱单元的写入性能比正常单元的写入性能差。10.根据权利要求9所述的存储装置，其中，命令解码器被配置为利用第一写入命令和第二写入命令的每个，接收识别将被写入的行的各自的地址，和各自的代码，所述各自的代码用于识别在写入到所识别的行中将被用到的写入时间。11.根据权利要求9所述的存储装...

【专利技术属性】
技术研发人员：金尚玧，孙钟弼，金秀娥，朴哲佑，黄泓善，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：