一种离子液体中痕量H2O的检测方法技术

技术编号:9294844 阅读:112 留言:0更新日期:2013-10-30 23:42
本发明专利技术揭示了一种基于场效应晶体管传感器的离子液体痕量H2O的检测方法。该传感器利用场效应晶体管的结构,其中有源层为与待检测离子液体不互溶的N型有机半导体材料。将待检测的离子液体滴到该传感器的有源层表面,利用N型半导体材料对水敏感的特性,使得场效应晶体管的电学参数发生变化,从而达到痕量H2O的检测的目的。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种离子液体中痕量H2O的检测方法,其特征在于,包括:a)提供一场效应晶体管传感器,该传感器包括N型半导体的有源层,有源层材料与待检测的离子液体互不溶;b)将待检测的离子液体滴加到所述的有源层表面,观察传感器电学参数的变化,如果电学参数改变,则离子液体中含有痕量H2O,否则无痕量H2O。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:潘革波肖燕
申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
类型:发明
国别省市:

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