【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种CMOS，包括：第一MOSFET；第二MOSFET，与第一MOSFET类型不同；第一应力衬层，覆盖了第一MOSFET，具有第一应力；第二应力衬层，覆盖了第二MOSFET，具有与第一应力类型不同的第二应力；其中，第二应力衬层与第一应力衬层材质不同。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：殷华湘，马小龙，徐秋霞，陈大鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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