新型整流桥制造技术

技术编号:9264983 阅读:196 留言:0更新日期:2013-10-17 02:04
本实用新型专利技术涉及一种半导体电子元器件,尤其是一种新型整流桥。该整流桥包括一电路基板,所述的电路基板上安装有多个硅整流二极管,所述的硅整流二极管之间设有桥接各硅整流二极管正负极的连接片,连接片延伸于电路基板为形成引脚,所述的整流二极管、连接片位于电路基板的正面,在所述的电路基板的正面设置焊接层,焊接层将电路基板上的硅整流二极管及连接片包覆在其内部。本实用新型专利技术整流桥通过将整流二极管、连接片位于电路基板的正面,并在所述的电路基板的正面设置焊接层,通过单面的焊接层即可实现电路基板上元件的封装,取代了以往的双面焊接封装的工艺,节省了加工步骤,节省了焊接材料,提高了加工效率和生产成本。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种新型整流桥,包括一电路基板,所述的电路基板上安装有多个硅整流二极管,所述的硅整流二极管之间设有桥接各硅整流二极管正负极的连接片,连接片延伸于电路基板为形成引脚,其特征在于:所述的整流二极管、连接片位于电路基板的正面,在所述的电路基板的正面设置焊接层,焊接层将电路基板上的硅整流二极管及连接片包覆在其内部。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王勇权
申请(专利权)人:湖州德卡斯电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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