大电流半波整流桥制造技术

大电流半波整流桥，属于半导体器件领域，适用于电子线路或集成模块中，利用半导体单向导电性将交流电整流为直流电。包括料片底板（１）、灌封胶（２）、引脚（３）、焊片（４、６）、芯片（５）和跳线（７），芯片（５）一面通过焊片（４）固定在料片底板（１）上另一面通过焊片（６）连接跳线（７），跳线（７）连接引脚（３）通过灌封胶（２）封装在一起，其特征在于：芯片（５）为一片。具有焊接面积大、牢固，可靠性稳定；芯片大，塑封和整形时芯片受应力小，方便操作；用一个大芯片代替两个小芯片，既节省了成本又可满足对大电流半导体器件的需求。具有生产效率高、节省成本等优点。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

大电流半波整流桥，属于半导体器件领域，适用于电子线路或集成模块中，利用半 导体单向导电性将交流电整流为直流电。
技术介绍
目前大电流半波整流桥一般都是两个芯片，应用过程中会出现两个正向压降有偏 差，造成输出电压不稳定的情况，且封装两个芯片效率较低，成本高。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是克服现有技术采用两个芯片封装效率低、成本高 问题，提供一种成本低、芯片功耗小、性能可靠，制作方便的大电流半波整流桥。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是该大电流半波整流桥，包括料片 底板、灌封胶、引脚、焊片、芯片和跳线，芯片一面通过焊片固定在料片底板上另一 面通过焊片连接跳线，跳线连接引脚通过灌封封装在一起，其特征在于芯片为一片。料片底板、芯片、跳线通过焊片连接在一起，再用灌封胶封装在一起。与现有技术相比，本技术大电流半波整流桥所具有的有益效果是在大电流半 波整流桥封装本体大小不变的前提下，用一个大芯片代替两个共阴极连接的小芯片。料 片采用铜金属材料，散热好；芯片比较大，阴极与铜料片的结合力也较好，增大了焊接 面积，增加了可靠性；芯片的阳极用两个铜跳线分别与料片的两个引脚相连，导电性能 较好，正向压降值一致，使用更方便。具有焊接面积大、牢固，可靠性稳定；芯片大， 塑封和整形时芯片受应力小，方便操作；用一个大芯片代替两个小芯片，既节省了成本 又可满足对大电流半导体器件的需求，增加了市场竞争力。具有生产效率高、节省成本 等优点。附图说明图1是本技术大电流半波整流挢的外形结构示意图； 图2是图1的侧视图3是本技术大电流半波整流桥器件的内部结构示意3图4是图3的侧视图。图1 4是本技术大电流半波整流桥的最佳实施例。其中1料片底板2灌 封胶3引脚4、 6焊片5芯片7跳线。具体实施方式以下结合附图1 4对本技术大电流半波整流桥做进一步说明 参照图1 4:该大电流半波整流桥由料片底板1、灌封胶2、引脚3、焊片4、 6、芯片5和跳线 7组成，芯片5 —面通过焊片4固定在料片底板1上另一面通过焊片6连接跳线7，跳 线7连接引脚3通过灌封胶2封装在一起，芯片5为一片。料片底板l、芯片5、跳线7通过焊片连接在一起，再用灌封胶(2)封装在一起。制作过程是如图2所示首先先将料片底板1定位，然后利用吸盘吸笔等工具将焊片4、芯片 5、焊片6、跳线7等原材料依次摆好，两个跳线7的头要搭在芯片5的中心位置，跳 线7另一端搭在引脚3位置，最后进焊接炉将其焊接固定在一起，焊接炉温度要求 330-360°C，出炉冷却后再用灌封胶2塑封成型。本技术大电流半波整流桥器件的封装模式，可应用在T0/IT0/D2PACK等其他共 阴极或共阳极的两颗芯片的产品上，具有焊接面积大、牢固，可靠性稳定；芯片大，塑 封和整形时芯片受应力小，方便操作；用一个大芯片代替两个小芯片，既节省了成本又 可满足对大电流半导体器件的需求，增加了市场竞争力。权利要求1、大电流半波整流桥，包括料片底板(1)、灌封胶(2)、引脚(3)、焊片(4、6)、芯片(5)和跳线(7)，芯片(5)一面通过焊片(4)固定在料片底板(1)上另一面通过焊片(6)连接跳线(7)，跳线(7)连接引脚(3)用灌封胶(2)封装在一起，其特征在于芯片(5)为一片。2、 根据权利要求1所述的大电流半波整流桥，其特征在于料片底板(1)、芯片 (5)、跳线(7)通过焊片连接在一起，再用灌封胶(2)封装在一起。专利摘要大电流半波整流桥，属于半导体器件领域，适用于电子线路或集成模块中，利用半导体单向导电性将交流电整流为直流电。包括料片底板(1)、灌封胶(2)、引脚(3)、焊片(4、6)、芯片(5)和跳线(7)，芯片(5)一面通过焊片(4)固定在料片底板(1)上另一面通过焊片(6)连接跳线(7)，跳线(7)连接引脚(3)通过灌封胶(2)封装在一起，其特征在于芯片(5)为一片。具有焊接面积大、牢固，可靠性稳定；芯片大，塑封和整形时芯片受应力小，方便操作；用一个大芯片代替两个小芯片，既节省了成本又可满足对大电流半导体器件的需求。具有生产效率高、节省成本等优点。文档编号H01L23/488GK201323196SQ20082023281公开日2009年10月7日 申请日期2008年12月20日 优先权日2008年12月20日专利技术者安 李 申请人:安 李本文档来自技高网...

【技术保护点】
大电流半波整流桥，包括料片底板（１）、灌封胶（２）、引脚（３）、焊片（４、６）、芯片（５）和跳线（７），芯片（５）一面通过焊片（４）固定在料片底板（１）上另一面通过焊片（６）连接跳线（７），跳线（７）连接引脚（３）用灌封胶（２）封装在一起，其特征在于：芯片（５）为一片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李安，
申请(专利权)人：李安，
类型：实用新型
国别省市：37[中国|山东]