一种太阳能电池吸收层的制备方法技术

技术编号:9239192 阅读:156 留言:0更新日期:2013-10-10 03:08
本发明专利技术提供一种太阳能电池吸收层的制备方法,至少包括以下步骤:1)提供一基底,于所述基底表面形成底电极;2)加热基底,并以黄铜矿相的CuIn1-xGaxSe2化合物为靶材,采用射频磁控溅射法于所述底电极表面制备CuIn1-xGaxSe2吸收层薄膜,其中,0

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种太阳能电池吸收层的制备方法,其特征在于,至少包括以下步骤:1)提供一基底,于所述基底表面形成底电极;2)加热基底,并以黄铜矿相的CuIn1?xGaxSe2化合物为靶材,采用射频磁控溅射法于所述底电极表面制备CuIn1?xGaxSe2吸收层薄膜;3)进行退火工艺使所述CuIn1?xGaxSe2吸收层薄膜结晶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:方小红于洋陈小源鲁林峰李东栋刘东方
申请(专利权)人:上海中科高等研究院
类型:发明
国别省市:

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