【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种交叉垂直发射极结构晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征是含以下步骤：（1）选取硅基体，预处理后，采用激光或采用化学湿法刻蚀方法在硅基体的前表面进行开槽，形成交叉垂直结构的开槽，所述交叉垂直结构的开槽由多个相互垂直的纵向槽和横向槽组成；（2）对开槽后的硅基体采用化学溶剂清洗损伤后，在硅基体前表面和交叉垂直结构的开槽结构内进行制绒，形成减反射结构；（3）进行磷或硼扩散，在前表面形成发射极结构，并去除硅基体边缘四周和背面的扩散层；（4）在前表面沉积钝化减反射膜；（5）丝网印刷背面导电电极和背面电场，在前表面的横向槽或纵向槽上丝网印刷导电浆料制备细栅线，并在与所述细栅线相垂直的开槽上印刷主栅线，形成前表面接触电极，烧结形成金属电极与硅基体之间的欧姆接触，制成交叉垂直发射极结构的晶体硅太阳能电池。
【技术特征摘要】
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。