【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种背接触太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：提供一单晶硅衬底、第一模具载片舟和第二模具载片舟，其中，所述第一模具载片舟包括相间排列的第一薄膜生长区和第一遮挡区，所述第二模具载片舟包括相间排列的第二薄膜生长区和第二遮挡区，且所述第一薄膜生长区与所述第二遮挡区对应，所述第二薄膜生长区与所述第一遮挡区对应；在所述单晶硅衬底的一个表面形成钝化层；采用第一模具载片舟，在所述钝化层表面形成光栅状的第一掺杂非晶硅指区和位于所述第一掺杂非晶硅指区表面的第一导电薄膜；采用第二模具载片舟，在所述钝化层表面形成光栅状的第二掺杂非晶硅指区和位于所述第二掺杂非晶硅指区表面的第二导电薄膜，所述第二掺杂非晶硅指区的掺杂类型与所述第一掺杂非晶硅指区的掺杂类型相反，且所述第二掺杂非晶硅指区及其表面的第二导电薄膜与所述第一掺杂非晶硅指区及其表面的第一导电薄膜交叉排列。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈剑辉，李锋，沈燕龙，赵文超，李高非，胡志岩，熊景峰，
申请(专利权)人：英利集团有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。