一种太阳能电池吸收层材料及其制备方法技术

技术编号:11504131 阅读:131 留言:0更新日期:2015-05-27 04:23
本发明专利技术提供一种太阳能电池吸收层材料及其制备方法,属于太阳能光电吸收层材料、半导体材料领域。本发明专利技术结合中国的稀土资源优势,采用稀土元素取代In制备太阳能电池吸收层材料Cu(InxX1-x)Se2,其中X为稀土元素,特别是采用稀土元素钇(Y)掺杂/取代In和Ga制备太阳能电池吸收层材料Cu(InxY1-x)Se2。本发明专利技术可减少Cu(InxGa1-x)Se2太阳能电池材料中稀散金属In和Ga的使用量,同时提高了CuInSe2系吸收层材料的禁带宽度,增加了太阳光光谱响应的匹配性,提高了Cu(InxX1-x)Se2太阳能电池的转化效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种太阳能电池吸收层材料,其特征在于:该材料为用稀土元素钇掺杂铜铟硒得到的Cu(InxY1‑x)Sey,其中x=0~1,y=2.0~2.5。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:马瑞新李士娜牛建文程诗垚刘子林
申请(专利权)人:北京科技大学
类型:发明
国别省市:北京;11

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