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本发明提供一种太阳能电池吸收层的制备方法，至少包括以下步骤：1）提供一基底，于所述基底表面形成底电极；2）加热基底，并以黄铜矿相的CuIn1-xGaxSe2化合物为靶材，采用射频磁控溅射法于所述底电极表面制备CuIn1-xGaxSe2吸收层...
该专利属于上海中科高等研究院所有，仅供学习研究参考，未经过上海中科高等研究院授权不得商用。

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