一种薄膜覆盖正面电极的硅太阳能电池及其制造工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种薄膜覆盖正面电极的硅太阳能电池及其制造工艺，本发明专利技术在制造MWT背接触太阳能电池时，将减反射膜完全覆盖住正面电极，即正面电极不需要穿透减反射膜直接与硅片接触，降低了串联电阻，提高了电池转换效率。同时印刷正面电极银浆时的穿透深度也更加容易控制，使得工艺简化。正面电极在减反射膜的完全覆盖下，不与外界直接接触，提高了该正面电极的抗腐蚀性和抗氧化能力。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种薄膜覆盖MWT太阳能电池制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：1）选取具有第一导电类型的硅片，经过在硅片预定位置开设通孔、以及制绒、扩散、通孔背结保护和刻蚀工艺后形成具有通孔的电池衬底；2）去除所述电池衬底表面的PSG；3）向该电池衬底上所述通孔内填充浆料，并制备背面电极，然后烘干；4）制备背面背场，然后烘干；5）制备电池正面电极，然后烘干；6）在步骤4）所形成的电池衬底上表面镀减反射膜，该减反射膜完全覆盖正面电极；7）经烧结后测试分选。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李质磊，路忠林，盛雯婷，张凤鸣，
申请(专利权)人：南京日托光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：