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本发明公开了一种薄膜覆盖正面电极的硅太阳能电池及其制造工艺，本发明在制造MWT背接触太阳能电池时，将减反射膜完全覆盖住正面电极，即正面电极不需要穿透减反射膜直接与硅片接触，降低了串联电阻，提高了电池转换效率。同时印刷正面电极银浆时的穿透深度...
该专利属于南京日托光伏科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京日托光伏科技有限公司授权不得商用。

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