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一种不含碳层的CZTS或者CZTSe薄膜的非真空制备方法技术

技术编号:9224234 阅读:290 留言:0更新日期:2013-10-04 18:00
本发明专利技术涉及一种不含碳层的CZTS或者CZTSe薄膜的非真空制备方法,属于薄膜太阳能电池制备技术领域。本发明专利技术的实施步骤为:将CZTS或CZTSe前驱体液,均匀地涂敷在衬底上得到湿膜;在氮气或惰性保护气氛下,对湿膜进行热分解,得到非晶干膜后,对非晶干膜进行退火处理,得到一层无碳层的多晶薄膜;在所述的无碳层多晶薄膜上继续涂敷湿膜,重复上述步骤,直至得到成品。本发明专利技术是进一步提高CZTS或者CZTSe薄膜太阳能电池光电转换效率的有效途径。本发明专利技术,制备工艺简单,所需的设备为常用设备,成本低,便于工业化生产,所得产品性能优良,具有很好的市场前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种不含碳层的CZTS或者CZTSe薄膜的非真空制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将CZTS或CZTSe前驱体液,均匀地涂敷在衬底上得到湿膜;在氮气或惰性保护气氛下,对湿膜进行热分解,得到非晶干膜后,对非晶干膜进行退火处理,得到一层无碳层的多晶薄膜;在所述的无碳层多晶薄膜上继续涂敷湿膜,重复上述步骤,直至得到所需厚度的无碳层CZTS或者CZTSe薄膜;所述湿膜的厚度为100?1000nm;所述热分解的温度为150~350℃;所述退火的温度为400~600℃,每次退火的时间为3~10min。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:钟向丽张克栋王金斌黄齐鸣
申请(专利权)人:湘潭大学
类型:发明
国别省市:

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