一种多晶电池片电路结构制造技术

一种多晶电池片电路结构，包括156mm＊156mm的硅片，以及印刷在该硅片工作面上的主栅线和次栅线，其特征是：所述硅片的工作面上等间隔设有五条主栅线，且每条主栅线的宽度为0.9mm，所述等间隔的距离为26mm。本实施新型针对现有技术所存在的问题，采用了五条主栅线结构，既缩短了载流子经次栅线到达主栅线的距离，又最大限度地限止了主栅线的遮阳面积，实验证明，该产品多晶太阳能电池片具有载流子数量损失少，载流子收集和传导效果好的优点，整体光电转化效率能提高1－2个百分点。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多晶电池片电路结构，包括156mm＊156mm的硅片（1），以及印刷在该硅片（1）工作面上的主栅线（2）和次栅线（3），其特征是：所述硅片（1）的工作面上等间隔设有五条主栅线（2），且每条主栅线（2）的宽度为0.9mm，所述等间隔的距离为26mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：焦哲，
申请(专利权)人：乐叶光伏股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：