从太阳能电池板上的多晶材料去除非键合化合物的方法技术

一种用于在清洁工艺期间从多个吸收衬底的吸收层去除非键合化合物的方法包括：设定用于从吸收衬底的吸收层清洁非键合化合物的溶剂槽中的溶液的一个或多个条件。该方法还包括基于清洁工艺期间的溶剂槽中的溶液的水动力学，计算在吸收层上形成的边界层的厚度，以及设定清洁工艺期间吸收衬底之间的一个或多个间隔和溶剂槽中的溶液的循环速度。该方法还包括根据设定条件、间隔和溶液的循环速度，将吸收衬底浸入溶剂槽中并且在溶剂槽中清洁吸收衬底。本发明专利技术涉及用于从太阳能电池板上的多晶材料去除非键合化合物的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于从太阳能电池板上的多晶材料去除非键合化合物的方法。
技术介绍
本专利技术涉及制造期间的太阳能电池的清洁。太阳能电池是用于通过光伏(PV)效应由太阳光生成电流的电器件。每个太阳能电池都具有在衬底上沉积的PV材料(诸如多晶材料)的一层或多层(薄膜)。PV材料的厚度可以为纳米级或微米级。多晶材料是由不同尺寸和定向的许多微晶组成的固体材料。由于不同的生长和处理条件，方向的变化可以是随机的或定向的。微晶通常称为微晶颗粒或颗粒，其在制造期间当冷却多晶材料时在多晶材料中形成。出现这些颗粒的区域被称为晶界。在太阳能电池板中用作吸收层的多晶材料的实例包括铜铟镓硒化物(CIGS)和碲化镉。吸收层吸收光以将光转化成电流。太阳能电池板也包括正面接触层和背面接触层以帮助捕获光和提取光电流并且提供用于在整个太阳能电池板传导生成的电流的电接触件。正面接触层通常包括透明导电氧化物(TCO)层。TCO层将光传输至吸收层并且在TCO层的平面中传导电流。在一些系统中，多个太阳能电池彼此邻近布置，每个太阳能电池的正面接触层将电流传导至下一个邻近的太阳能电池。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于在清洁工艺期间从吸收衬底的吸收层去除非键合化合物的方法，包括：设定用于从所述吸收衬底的所述吸收层清洁所述非键合化合物的溶剂槽中的溶液的一个或多个条件；计算所述清洁工艺期间在所述溶剂槽中的所述吸收层上形成的边界层的厚度；设定所述清洁工艺期间所述溶剂槽中的溶液的循环速度；以及在设定条件和所述溶液的循环速度下，将所述吸收衬底浸入所述溶剂槽中并且在所述溶剂槽中清洁所述吸收衬底。在上述方法中，其中：在制造所述吸收衬底期间，所述非键合化合物在所述吸收衬底的所述吸收层的多晶材料的晶界处形成。在上述方法中，其中：在制造所述吸收衬底期间，所述非键合化合物在所述吸收衬底的所述吸收层的多晶材料的晶界处形成，其中：所述吸收层包括铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)、CulnSe2(CIS)、CuGaSe2(CGS)、Cu(In,Ga)(Se,S)2(CIGSS)和非晶硅中的一种。在上述方法中，其中：所述吸收衬底是具有所述吸收层的未完成的太阳能电池，所述吸收层未被覆盖并暴露以用于清洁。在上述方法中，其中：所述溶液的一个或多个条件包括所述溶液的成分、pH值和温度。在上述方法中，其中：所述溶液的一个或多个条件包括所述溶液的成分、pH值和温度，还包括：将所述溶液的pH值设定为介于4至12的范围内。在上述方法中，其中：所述溶液的一个或多个条件包括所述溶液的成分、pH值和温度，还包括：将所述溶液的所述温度设定为介于25℃至85℃的范围内。在上述方法中，其中：所述溶液的一个或多个条件包括所述溶液的成分、pH值和温度，还包括：将一种或多种溶剂添加到所述溶液内以降低所述溶液的粘度。在上述方法中，还包括：增大所述溶液的循环速度以降低所述边界层的厚度并且增大所述溶液的流动速度。根据本专利技术的另一方面，还提供了一种用于在清洁工艺期间从多个吸收衬底的每个的各自的吸收层去除非键合化合物的方法，包括：设定用于从所述吸收衬底的吸收层清洁所述非键合化合物的溶剂槽中溶液的一个或多个条件；计算所述清洁工艺期间在所述溶剂槽中的所述吸收层上形成的边界层的厚度；设定所述清洁工艺期间所述吸收衬底之间的一个或多个间隔和所述溶剂槽中的溶液的循环速度；以及根据一个或多个设定条件、所述间隔和所述溶液的循环速度，将所述吸收衬底浸入所述溶剂槽中并且在所述溶剂槽中清洁所述吸收衬底。在上述方法中，还包括：将所述多个吸收衬底布置成对，其中，将每对所述吸收衬底浸入所述溶液中，其中，每对所述吸收衬底各自的所述吸收层彼此相对。在上述方法中，还包括：将所述多个吸收衬底布置成对，其中，将每对所述吸收衬底浸入所述溶液中，其中，每对所述吸收衬底各自的所述吸收层彼此相对，还包括：基于在所述吸收衬底上形成的所述边界层的厚度，设定每对所述吸收衬底之间的间隔以加速所述清洁工艺。在上述方法中，还包括：将所述多个吸收衬底布置成对，其中，将每对所述吸收衬底浸入所述溶液中，其中，每对所述吸收衬底各自的所述吸收层彼此相对，还包括：基于在所述吸收衬底上形成的所述边界层的厚度，设定每对所述吸收衬底之间的间隔以加速所述清洁工艺，还包括：将每对所述吸收衬底之间的所述间隔设定为大于所述吸收衬底上的边界层的厚度的两倍。在上述方法中，还包括：将所述多个吸收衬底布置成对，其中，将每对所述吸收衬底浸入所述溶液中，其中，每对所述吸收衬底各自的所述吸收层彼此相对，还包括：基于所述吸收衬底的长度，设定每对所述吸收衬底之间的间隔。根据本专利技术的又一方面，还提供了一种用于在清洁工艺期间从多个吸收衬底的每个的各自的吸收层去除非键合化合物的系统，包括：位于槽中的溶液，其中，配置所述溶液的一个或多个条件以从所述吸收衬底的吸收层清洁所述非键合化合物；所述槽，配置为在所述清洁工艺期间使所述吸收衬底能够浸入所述槽中并且在所述槽中清洁所述吸收衬底，其中，根据在所述吸收层上形成的边界层的厚度，设定在所述清洁工艺期间的太阳能吸收衬底之间的间隔和所述槽中的溶液的循环速度。在上述系统中，其中：基于在所述清洁工艺期间的所述槽中的溶液的水动力学，计算在所述吸收层上形成的所述边界层的厚度。在上述系统中，其中：所述溶液的一个或多个条件包括所述溶液的成分、pH值和温度。在上述系统中，其中：将所述多个吸收衬底布置成对，其中，将每对所述吸收衬底浸入所述溶液中，并且每对所述吸收衬底各自的所述吸收层彼此相对。在上述系统中，其中：将所述多个吸收衬底布置成对，其中，将每对所述吸收衬底浸入所述溶液中，并且每对所述吸收衬底各自的所述吸收层彼此相对，其中：基于在所述吸收衬底上形成的所述边界层的厚度，设定每对所述吸收衬底之间的间隔以加速所述清洁工艺。在上述系统中，其中：将所述多个吸收衬底布置成对，其中，将每对所述吸收衬底浸入所述溶液中，并且每对所述吸收衬底各自的所述吸收层彼此相对，其中：基于所述吸收衬底的长度，设定每对所述吸收衬底之间的间隔，以快速清洁所述吸收层上的非键合化合物。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可以更好地理解本专利技术的方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在清洁工艺期间从吸收衬底的吸收层去除非键合化合物的方法，包括：设定用于从所述吸收衬底的所述吸收层清洁所述非键合化合物的溶剂槽中的溶液的一个或多个条件；计算所述清洁工艺期间在所述溶剂槽中的所述吸收层上形成的边界层的厚度；设定所述清洁工艺期间所述溶剂槽中的溶液的循环速度；以及在设定条件和所述溶液的循环速度下，将所述吸收衬底浸入所述溶剂槽中并且在所述溶剂槽中清洁所述吸收衬底。

【技术特征摘要】
2014.03.11 US 14/203,5921.一种用于在清洁工艺期间从吸收衬底的吸收层去除非键合化合物的
方法，包括：
设定用于从所述吸收衬底的所述吸收层清洁所述非键合化合物的溶剂
槽中的溶液的一个或多个条件；
计算所述清洁工艺期间在所述溶剂槽中的所述吸收层上形成的边界层
的厚度；
设定所述清洁工艺期间所述溶剂槽中的溶液的循环速度；以及
在设定条件和所述溶液的循环速度下，将所述吸收衬底浸入所述溶剂
槽中并且在所述溶剂槽中清洁所述吸收衬底。
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
在制造所述吸收衬底期间，所述非键合化合物在所述吸收衬底的所述
吸收层的多晶材料的晶界处形成。
3.根据权利要求2所述的方法，其中：
所述吸收层包括铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)、CulnSe2(CIS)、
CuGaSe2(CGS)、Cu(In,Ga)(Se,S)2(CIGSS)和非晶硅中的一种。
4.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述吸收衬底是具有所述吸收层的未完成的太阳能电池，所述吸收层
未被覆盖并暴露以用于清洁。
5.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述溶液的一个或多个条件包括所述溶液的成分、pH值和温度。
6.根据权利要求5所述的方法，还包括：
将所述溶液的pH值设...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈世伟，
申请(专利权)人：台积太阳能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71